Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R180P7ATMA1
IPD60R180P7ATMA1

IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+60.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 72W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm.

Інші пропозиції IPD60R180P7ATMA1 за ціною від 60.18 грн до 231.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.09 грн
141+100.68 грн
500+80.30 грн
1000+71.16 грн
2500+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.59 грн
116+122.30 грн
119+119.48 грн
500+92.53 грн
1000+77.31 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3 Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.52 грн
10+125.64 грн
50+95.89 грн
100+80.99 грн
500+65.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.79 грн
10+142.08 грн
100+101.31 грн
500+78.92 грн
1000+67.44 грн
2500+61.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+207.79 грн
100+142.08 грн
140+101.31 грн
500+78.92 грн
1000+67.44 грн
2500+61.94 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.09 грн
10+145.09 грн
100+100.68 грн
500+77.43 грн
1000+65.89 грн
2500+60.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+228.46 грн
100+218.97 грн
250+201.52 грн
500+192.27 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.23 грн
10+229.85 грн
25+228.46 грн
100+218.97 грн
250+201.52 грн
500+192.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 INFINEON 2371106.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 4311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R180P7_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 INFINEON 2371106.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 4311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+60.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+73.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+74.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+145.09 грн
141+100.68 грн
500+80.30 грн
1000+71.16 грн
2500+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+149.59 грн
116+122.30 грн
119+119.48 грн
500+92.53 грн
1000+77.31 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+202.52 грн
10+125.64 грн
50+95.89 грн
100+80.99 грн
500+65.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+207.79 грн
10+142.08 грн
100+101.31 грн
500+78.92 грн
1000+67.44 грн
2500+61.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
68+207.79 грн
100+142.08 грн
140+101.31 грн
500+78.92 грн
1000+67.44 грн
2500+61.94 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+222.09 грн
10+145.09 грн
100+100.68 грн
500+77.43 грн
1000+65.89 грн
2500+60.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+228.46 грн
100+218.97 грн
250+201.52 грн
500+192.27 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+231.23 грн
10+229.85 грн
25+228.46 грн
100+218.97 грн
250+201.52 грн
500+192.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 2371106.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 4311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 Infineon_IPD60R180P7_DataSheet_v02_05_EN.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 2371106.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 4311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.