Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R180P7ATMA1
IPD60R180P7ATMA1

IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD60R180P7ATMA1 за ціною від 48.86 грн до 156.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+64.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
164+74.58 грн
176+69.63 грн
178+68.93 грн
191+61.75 грн
250+56.61 грн
500+54.33 грн
1000+54.32 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+79.91 грн
10+74.60 грн
25+73.85 грн
100+66.16 грн
250+60.65 грн
500+58.21 грн
1000+58.20 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2371106.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.45 грн
500+64.38 грн
1000+55.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+86.73 грн
144+85.20 грн
200+81.96 грн
500+75.71 грн
1000+72.51 грн
2000+67.02 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R180P7_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.32 грн
10+91.77 грн
100+64.44 грн
500+57.44 грн
1000+56.46 грн
2500+48.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3 Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 4324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.22 грн
10+92.22 грн
100+73.70 грн
500+58.92 грн
1000+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2371106.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.23 грн
10+114.85 грн
100+84.45 грн
500+64.38 грн
1000+55.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+81.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.