Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R180P7ATMA1
IPD60R180P7ATMA1

IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD60R180P7ATMA1 за ціною від 50.04 грн до 190.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 INFINEON 2371106.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.61 грн
500+65.06 грн
1000+59.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.70 грн
25+78.45 грн
100+74.45 грн
250+67.81 грн
500+64.03 грн
1000+62.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+80.95 грн
178+79.70 грн
181+78.45 грн
184+74.45 грн
250+67.81 грн
500+64.03 грн
1000+62.97 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 INFINEON 2371106.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.06 грн
10+97.85 грн
100+78.61 грн
500+65.06 грн
1000+59.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.92 грн
116+122.58 грн
119+119.75 грн
500+92.74 грн
1000+77.49 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3 Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.34 грн
10+101.02 грн
100+68.97 грн
500+51.87 грн
1000+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R180P7_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.77 грн
10+114.29 грн
100+70.34 грн
500+57.80 грн
1000+53.57 грн
2500+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+73.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+74.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 2371106.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+78.61 грн
500+65.06 грн
1000+59.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+79.70 грн
25+78.45 грн
100+74.45 грн
250+67.81 грн
500+64.03 грн
1000+62.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
175+80.95 грн
178+79.70 грн
181+78.45 грн
184+74.45 грн
250+67.81 грн
500+64.03 грн
1000+62.97 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 2371106.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+120.06 грн
10+97.85 грн
100+78.61 грн
500+65.06 грн
1000+59.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 infineon-ipd60r180p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
95+149.92 грн
116+122.58 грн
119+119.75 грн
500+92.74 грн
1000+77.49 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+163.34 грн
10+101.02 грн
100+68.97 грн
500+51.87 грн
1000+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 Infineon_IPD60R180P7_DataSheet_v02_05_EN.pdf
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+190.77 грн
10+114.29 грн
100+70.34 грн
500+57.80 грн
1000+53.57 грн
2500+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.