Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R180P7SAUMA1
IPD60R180P7SAUMA1

IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.07 грн
5000+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD60R180P7SAUMA1 за ціною від 35.82 грн до 140.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
229+55.93 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+59.73 грн
5000+55.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+59.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : INFINEON 2718773.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.56 грн
500+52.65 грн
1000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
179+71.51 грн
180+71.01 грн
190+67.38 грн
250+61.48 грн
500+53.68 грн
1000+48.42 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+93.72 грн
10+76.62 грн
25+76.08 грн
100+69.61 грн
250+60.99 грн
500+55.22 грн
1000+51.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R180P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 9974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.59 грн
10+90.35 грн
100+55.34 грн
500+44.40 грн
1000+42.51 грн
2500+38.42 грн
5000+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 7229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.11 грн
10+83.89 грн
100+56.44 грн
500+41.93 грн
1000+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : INFINEON 2718773.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+140.42 грн
50+99.79 грн
100+70.56 грн
500+52.65 грн
1000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 18A; 72W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1
Код товару: 201989
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.