Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPD60R180P7SAUMA1

IPD60R180P7SAUMA1

Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c
Код товару: 201989
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD60R180P7SAUMA1 за ціною від 30.53 грн до 146.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.61 грн
5000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
229+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+60.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
229+60.89 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+62.11 грн
5000+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+63.08 грн
5000+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : INFINEON 2718773.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.53 грн
500+48.15 грн
1000+42.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
178+78.24 грн
180+77.27 грн
190+73.33 грн
250+66.91 грн
500+58.44 грн
1000+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 178
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+95.23 грн
10+78.24 грн
25+77.27 грн
100+70.71 грн
250+61.95 грн
500+56.10 грн
1000+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : INFINEON 2718773.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.42 грн
50+91.26 грн
100+64.53 грн
500+48.15 грн
1000+42.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 9059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.07 грн
10+83.70 грн
100+56.29 грн
500+41.82 грн
1000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R180P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 14590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.99 грн
10+92.35 грн
100+54.20 грн
500+42.99 грн
1000+39.32 грн
2500+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.