Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPD60R180P7SAUMA1

IPD60R180P7SAUMA1

Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c
Код товару: 201989
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD60R180P7SAUMA1 за ціною від 31.08 грн до 145.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.22 грн
5000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+61.85 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.24 грн
5000+58.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.22 грн
5000+59.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 INFINEON 2718773.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.70 грн
500+49.02 грн
1000+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.66 грн
180+78.68 грн
190+74.66 грн
250+68.12 грн
500+59.50 грн
1000+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.96 грн
10+79.66 грн
25+78.68 грн
100+71.99 грн
250+63.07 грн
500+57.12 грн
1000+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 INFINEON 2718773.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.75 грн
50+92.92 грн
100+65.70 грн
500+49.02 грн
1000+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 9059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.56 грн
10+85.21 грн
100+57.31 грн
500+42.58 грн
1000+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R180P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 12313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.55 грн
10+92.40 грн
100+53.64 грн
500+42.57 грн
1000+38.98 грн
2500+35.03 грн
5000+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+34.22 грн
5000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
229+61.85 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
229+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+63.24 грн
5000+58.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+64.22 грн
5000+59.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 2718773.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+65.70 грн
500+49.02 грн
1000+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
178+79.66 грн
180+78.68 грн
190+74.66 грн
250+68.12 грн
500+59.50 грн
1000+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+96.96 грн
10+79.66 грн
25+78.68 грн
100+71.99 грн
250+63.07 грн
500+57.12 грн
1000+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 2718773.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+130.75 грн
50+92.92 грн
100+65.70 грн
500+49.02 грн
1000+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 9059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+139.56 грн
10+85.21 грн
100+57.31 грн
500+42.58 грн
1000+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 Infineon_IPD60R180P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 12313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+145.55 грн
10+92.40 грн
100+53.64 грн
500+42.57 грн
1000+38.98 грн
2500+35.03 грн
5000+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.