Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPD60R180P7SAUMA1

IPD60R180P7SAUMA1

infineon-ipd60r180p7s-datasheet-cn.pdf
Код товару: 201989
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD60R180P7SAUMA1 за ціною від 39.86 грн до 163.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+74.87 грн
210+68.02 грн
214+66.73 грн
250+63.09 грн
500+57.27 грн
1000+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.11 грн
11+74.87 грн
25+68.02 грн
100+64.35 грн
250+58.42 грн
500+54.97 грн
1000+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.86 грн
10+91.80 грн
50+69.37 грн
100+58.30 грн
500+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon_ipd60r180p7s_datasheet_en.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+161.26 грн
10+86.63 грн
100+59.97 грн
500+47.83 грн
1000+47.68 грн
2500+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+163.59 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 INFINEON 2718773.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 INFINEON 2718773.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 infineon-ipd60r180p7s-datasheet-cn.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
229+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
191+74.87 грн
210+68.02 грн
214+66.73 грн
250+63.09 грн
500+57.27 грн
1000+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+88.11 грн
11+74.87 грн
25+68.02 грн
100+64.35 грн
250+58.42 грн
500+54.97 грн
1000+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 infineon-ipd60r180p7s-datasheet-cn.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.86 грн
10+91.80 грн
50+69.37 грн
100+58.30 грн
500+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 infineon_ipd60r180p7s_datasheet_en.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.26 грн
10+86.63 грн
100+59.97 грн
500+47.83 грн
1000+47.68 грн
2500+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+163.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+163.59 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 2718773.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 2718773.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.