Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R180P7SE8228AUMA1

IPD60R180P7SE8228AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R180P7SE8228AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 72W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPD60R180P7SE8228AUMA1 за ціною від 44.19 грн до 47.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R180P7SE8228AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf 600V Cool MOS P7 Power Transistor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SE8228AUMA1 Виробник : Infineon Technologies CONSUMER
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SE8228AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf 600V Cool MOS P7 Power Transistor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SE8228AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf 600V Cool MOS P7 Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SE8228AUMA1 IPD60R180P7SE8228AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SE8228AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R180P7_DataSheet_v02_05_EN-1859242.pdf MOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.