Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R1K0CEAUMA1
IPD60R1K0CEAUMA1

IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 61W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm.

Інші пропозиції IPD60R1K0CEAUMA1 за ціною від 17.34 грн до 90.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.43 грн
5000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1445+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 1445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94 Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.52 грн
10+42.46 грн
100+27.64 грн
500+19.97 грн
1000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.05 грн
14+55.24 грн
100+37.57 грн
500+28.95 грн
1000+24.57 грн
2500+18.67 грн
5000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+81.05 грн
257+55.24 грн
377+37.57 грн
500+28.95 грн
1000+24.57 грн
2500+18.67 грн
5000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+90.99 грн
222+63.88 грн
319+44.44 грн
334+40.92 грн
500+31.57 грн
1000+27.79 грн
2000+27.18 грн
2500+25.86 грн
10000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R1K0CE_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 INFINEON 2354541.pdf Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 10764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 INFINEON 2354541.pdf Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 10764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.43 грн
5000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1445+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 1445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94
IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.52 грн
10+42.46 грн
100+27.64 грн
500+19.97 грн
1000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+81.05 грн
14+55.24 грн
100+37.57 грн
500+28.95 грн
1000+24.57 грн
2500+18.67 грн
5000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
175+81.05 грн
257+55.24 грн
377+37.57 грн
500+28.95 грн
1000+24.57 грн
2500+18.67 грн
5000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
156+90.99 грн
222+63.88 грн
319+44.44 грн
334+40.92 грн
500+31.57 грн
1000+27.79 грн
2000+27.18 грн
2500+25.86 грн
10000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon_IPD60R1K0CE_DS_v02_02_EN.pdf
IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 2354541.pdf
IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 10764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 2354541.pdf
IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 10764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.