IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1170+ | 26.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 26W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPD60R1K0PFD7SAUMA1 за ціною від 19.03 грн до 88.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 26W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 3165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: CONSUMER PG-TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD60R1K0PFD7S SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: CONSUMER PG-TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |