Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R1K0PFD7SAUMA1
IPD60R1K0PFD7SAUMA1

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

infineonipd60r1k0pfd7sdatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1107+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 1107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Verlustleistung Pd: 26W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 26W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm.

Інші пропозиції IPD60R1K0PFD7SAUMA1 за ціною від 22.61 грн до 80.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r1k0pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1107+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 1107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r1k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r1k0pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.26 грн
13+60.05 грн
100+42.70 грн
500+32.81 грн
1000+27.76 грн
2500+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r1k0pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+78.26 грн
237+60.05 грн
332+42.70 грн
500+32.81 грн
1000+27.76 грн
2500+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r1k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+80.09 грн
202+70.40 грн
265+53.63 грн
277+49.44 грн
500+39.98 грн
1000+36.35 грн
2500+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R1K0PFD7S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0009651505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0009651505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 infineonipd60r1k0pfd7sdatasheetv0200en.pdf
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1107+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 1107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 infineon-ipd60r1k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 infineonipd60r1k0pfd7sdatasheetv0200en.pdf
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+78.26 грн
13+60.05 грн
100+42.70 грн
500+32.81 грн
1000+27.76 грн
2500+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 infineonipd60r1k0pfd7sdatasheetv0200en.pdf
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
182+78.26 грн
237+60.05 грн
332+42.70 грн
500+32.81 грн
1000+27.76 грн
2500+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 infineon-ipd60r1k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
177+80.09 грн
202+70.40 грн
265+53.63 грн
277+49.44 грн
500+39.98 грн
1000+36.35 грн
2500+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon_IPD60R1K0PFD7S_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 INFN-S-A0009651505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 INFN-S-A0009651505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.