IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1107+ | 32.96 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1107 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Verlustleistung Pd: 26W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 26W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm.
Інші пропозиції IPD60R1K0PFD7SAUMA1 за ціною від 20.37 грн до 114.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Description: CONSUMER PG-TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 3496 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 26W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm |
на замовлення 1102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung Pd: 26W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 26W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm |
на замовлення 1102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1107+ | 32.96 грн |
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 34.03 грн |
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 80.52 грн |
| 13+ | 61.79 грн |
| 100+ | 43.94 грн |
| 500+ | 33.76 грн |
| 1000+ | 28.56 грн |
| 2500+ | 23.26 грн |
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 182+ | 80.52 грн |
| 237+ | 61.79 грн |
| 332+ | 43.94 грн |
| 500+ | 33.76 грн |
| 1000+ | 28.56 грн |
| 2500+ | 23.26 грн |
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 177+ | 82.40 грн |
| 202+ | 72.44 грн |
| 265+ | 55.18 грн |
| 277+ | 50.86 грн |
| 500+ | 41.13 грн |
| 1000+ | 37.40 грн |
| 2500+ | 34.69 грн |
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
Description: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 90.63 грн |
| 10+ | 54.47 грн |
| 50+ | 40.48 грн |
| 100+ | 33.73 грн |
| 500+ | 26.25 грн |
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.08 грн |
| 10+ | 55.29 грн |
| 100+ | 39.86 грн |
| 500+ | 31.34 грн |
| 1000+ | 27.71 грн |
| 2500+ | 22.37 грн |
| 5000+ | 20.37 грн |
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)