Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R1K0PFD7SAUMA1
IPD60R1K0PFD7SAUMA1

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

infineonipd60r1k0pfd7sdatasheetv0200en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1107+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 1107
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 26W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD60R1K0PFD7SAUMA1 за ціною від 16.45 грн до 91.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r1k0pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1107+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 1107
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r1k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009651505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.03 грн
500+27.13 грн
1000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r1k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
177+68.94 грн
202+60.60 грн
265+46.16 грн
277+42.55 грн
500+34.41 грн
1000+31.29 грн
2500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.60 грн
10+52.47 грн
100+30.69 грн
500+23.76 грн
1000+21.63 грн
2500+18.97 грн
5000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009651505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.33 грн
17+50.67 грн
100+35.03 грн
500+27.13 грн
1000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed6256d5839ef Description: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.45 грн
10+55.46 грн
100+36.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r1k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r1k0pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r1k0pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed6256d5839ef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 3A; Idm: 8.8A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.978Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 26W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain-source voltage: 600V
Case: TO252
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed6256d5839ef Description: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed6256d5839ef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 3A; Idm: 8.8A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.978Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 26W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain-source voltage: 600V
Case: TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.