Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R1K5CEAUMA1
IPD60R1K5CEAUMA1

IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies

270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 49W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm.

Інші пропозиції IPD60R1K5CEAUMA1 за ціною від 15.38 грн до 86.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7c89cc51e98 Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.21 грн
7500+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.25 грн
5000+18.68 грн
7500+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.25 грн
5000+18.68 грн
7500+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1530+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 1530 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.10 грн
16+50.23 грн
100+34.05 грн
500+26.39 грн
1000+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+73.10 грн
282+50.23 грн
416+34.05 грн
517+26.39 грн
1000+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7c89cc51e98 Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 76560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.74 грн
10+43.98 грн
50+32.37 грн
100+26.85 грн
500+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+83.45 грн
255+55.52 грн
371+38.19 грн
372+36.71 грн
500+26.94 грн
1000+23.64 грн
2500+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 INFINEON 2354542.pdf Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 49W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R1K5CE_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 5352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 INFINEON 2354542.pdf Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 49W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon-IPD60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7c89cc51e98
IPD60R1K5CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.21 грн
7500+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K5CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K5CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.25 грн
5000+18.68 грн
7500+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K5CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.25 грн
5000+18.68 грн
7500+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K5CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K5CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1530+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 1530 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K5CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+73.10 грн
16+50.23 грн
100+34.05 грн
500+26.39 грн
1000+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K5CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
194+73.10 грн
282+50.23 грн
416+34.05 грн
517+26.39 грн
1000+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon-IPD60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7c89cc51e98
IPD60R1K5CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 76560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.74 грн
10+43.98 грн
50+32.37 грн
100+26.85 грн
500+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K5CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
170+83.45 грн
255+55.52 грн
371+38.19 грн
372+36.71 грн
500+26.94 грн
1000+23.64 грн
2500+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K5CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+86.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 2354542.pdf
IPD60R1K5CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 49W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon_IPD60R1K5CE_DS_v02_02_EN.pdf
IPD60R1K5CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 5352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 2354542.pdf
IPD60R1K5CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 49W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.