Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R1K5PFD7SAUMA1
IPD60R1K5PFD7SAUMA1

IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

infineonipd60r1k5pfd7sdatasheetv0200en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 93513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1231+25.03 грн
10000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 1231
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V, Power Dissipation (Max): 22W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-344, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPD60R1K5PFD7SAUMA1 за ціною від 15.12 грн до 83.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r1k5pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1231+25.03 грн
10000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 1231
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r1k5pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1231+25.03 грн
10000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 1231
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r1k5pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1231+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 1231
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K5PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.87 грн
10+49.65 грн
100+28.81 грн
500+22.35 грн
1000+20.22 грн
2500+17.48 грн
5000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K5PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225df2d46744 Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.86 грн
10+51.07 грн
100+33.48 грн
500+24.32 грн
1000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r1k5pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf SP004748872
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r1k5pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r1k5pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K5PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225df2d46744 Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R1K5PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225df2d46744 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.892Ω
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain-source voltage: 600V
Case: TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.