Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R210CFD7ATMA1
IPD60R210CFD7ATMA1

IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies

infineonipd60r210cfd7datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
248+142.30 грн
500+128.18 грн
1000+117.60 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R210CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 64W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm.

Інші пропозиції IPD60R210CFD7ATMA1 за ціною від 117.60 грн до 142.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R210CFD7ATMA1 IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd60r210cfd7datasheetv0202en.pdf IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.30 грн
500+128.18 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1 IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd60r210cfd7datasheetv0202en.pdf IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 3669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.30 грн
500+128.18 грн
1000+117.60 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1 IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd60r210cfd7datasheetv0202en.pdf IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.30 грн
500+128.18 грн
1000+117.60 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1 IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd60r210cfd7datasheetv0202en.pdf IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.30 грн
500+128.18 грн
1000+117.60 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1 IPD60R210CFD7ATMA1 INFINEON 2643870.pdf Description: INFINEON - IPD60R210CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1 IPD60R210CFD7ATMA1 INFINEON 2643870.pdf Description: INFINEON - IPD60R210CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1 infineonipd60r210cfd7datasheetv0202en.pdf
IPD60R210CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
248+142.30 грн
500+128.18 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1 infineonipd60r210cfd7datasheetv0202en.pdf
IPD60R210CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 3669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
248+142.30 грн
500+128.18 грн
1000+117.60 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1 infineonipd60r210cfd7datasheetv0202en.pdf
IPD60R210CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
248+142.30 грн
500+128.18 грн
1000+117.60 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1 infineonipd60r210cfd7datasheetv0202en.pdf
IPD60R210CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
248+142.30 грн
500+128.18 грн
1000+117.60 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1 2643870.pdf
IPD60R210CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R210CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210CFD7ATMA1 2643870.pdf
IPD60R210CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R210CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.