Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R210PFD7SAUMA1
IPD60R210PFD7SAUMA1

IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

infineonipd60r210pfd7sdatasheetv0200en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
488+25.01 грн
496+24.62 грн
504+24.23 грн
512+22.98 грн
521+20.93 грн
1000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 488
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 64W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 64W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD60R210PFD7SAUMA1 за ціною від 21.17 грн до 139.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON 3154684.pdf Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 64W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.18 грн
500+45.54 грн
1000+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r210pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+56.51 грн
26+27.22 грн
27+25.44 грн
100+23.18 грн
250+21.89 грн
500+21.53 грн
1000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON 3154684.pdf Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.86 грн
17+53.32 грн
100+51.18 грн
500+45.54 грн
1000+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.27 грн
10+59.21 грн
100+48.14 грн
500+47.98 грн
1000+47.76 грн
2500+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r210pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
178+68.73 грн
179+68.53 грн
200+67.62 грн
500+65.01 грн
1000+60.10 грн
2000+57.44 грн
2500+57.26 грн
Мінімальне замовлення: 178
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r210pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r210pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+87.02 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r210pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+87.02 грн
500+78.31 грн
1000+72.22 грн
10000+62.09 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r210pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+87.02 грн
500+78.31 грн
1000+72.22 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 13875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.24 грн
10+94.97 грн
100+71.06 грн
500+58.10 грн
1000+53.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd60r210pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 10A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 386mΩ
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain-source voltage: 600V
Case: TO252
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 10A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 386mΩ
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain-source voltage: 600V
Case: TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.