Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R210PFD7SAUMA1

IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Name: IPD60R210PFD7SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 21995531-5
Price: 13000.32 UAH
Availability: InStock

infineonipd60r210pfd7sdatasheetv0200en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
488+	26.64 грн
496+	26.22 грн
504+	25.81 грн
512+	24.48 грн
521+	22.29 грн
1000+	21.04 грн

Мінімальне замовлення: 488

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 64W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 64W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD60R210PFD7SAUMA1 за ціною від 22.55 грн до 160.52 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPD60R210PFD7SAUMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	42.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD60R210PFD7SAUMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 64W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	52.25 грн
500+	44.41 грн
1000+	40.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD60R210PFD7SAUMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
13+	60.18 грн
26+	28.99 грн
27+	27.09 грн
100+	24.69 грн
250+	23.31 грн
500+	22.93 грн
1000+	22.55 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

IPD60R210PFD7SAUMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
14+	62.49 грн
15+	55.86 грн
100+	52.25 грн
500+	44.41 грн
1000+	40.79 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IPD60R210PFD7SAUMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
178+	73.20 грн
179+	72.99 грн
200+	72.02 грн
500+	69.24 грн
1000+	64.01 грн
2000+	61.17 грн
2500+	60.99 грн

Мінімальне замовлення: 178

В кошику од. на суму грн.

IPD60R210PFD7SAUMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	79.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD60R210PFD7SAUMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
351+	92.68 грн

Мінімальне замовлення: 351

В кошику од. на суму грн.

IPD60R210PFD7SAUMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
351+	92.68 грн
500+	83.41 грн
1000+	76.92 грн
10000+	66.13 грн

Мінімальне замовлення: 351

В кошику од. на суму грн.

IPD60R210PFD7SAUMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
351+	92.68 грн
500+	83.41 грн
1000+	76.92 грн

Мінімальне замовлення: 351

В кошику од. на суму грн.

IPD60R210PFD7SAUMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V

на замовлення 12515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	155.58 грн
10+	96.13 грн
100+	65.44 грн
500+	49.06 грн
1000+	47.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD60R210PFD7SAUMA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs CONSUMER

на замовлення 3214 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	160.52 грн
10+	101.72 грн
100+	60.16 грн
500+	48.09 грн
1000+	45.91 грн
2500+	43.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD60R210PFD7SAUMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.