IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 488+ | 29.19 грн |
| 496+ | 28.73 грн |
| 504+ | 28.28 грн |
| 512+ | 26.82 грн |
| 521+ | 24.42 грн |
| 1000+ | 23.06 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
488 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Verlustleistung Pd: 64W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 64W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm.
Інші пропозиції IPD60R210PFD7SAUMA1 за ціною від 23.06 грн до 197.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V |
на замовлення 12373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 3182 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD60R210PFD7SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 64W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm |
на замовлення 2259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung Pd: 64W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 64W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm |
на замовлення 2259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD60R210PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 52.77 грн |
| 7500+ | 46.08 грн |
| IPD60R210PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 61.55 грн |
| 26+ | 29.64 грн |
| 27+ | 27.71 грн |
| 100+ | 25.25 грн |
| 250+ | 23.84 грн |
| 500+ | 23.45 грн |
| 1000+ | 23.06 грн |
| IPD60R210PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 178+ | 80.21 грн |
| 179+ | 79.97 грн |
| 200+ | 78.91 грн |
| 500+ | 75.86 грн |
| 1000+ | 70.13 грн |
| 2000+ | 67.02 грн |
| 2500+ | 66.82 грн |
| IPD60R210PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 87.01 грн |
| IPD60R210PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 335+ | 106.39 грн |
| IPD60R210PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 335+ | 106.39 грн |
| 500+ | 95.74 грн |
| 1000+ | 88.30 грн |
| 10000+ | 75.91 грн |
| IPD60R210PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 335+ | 106.39 грн |
| 500+ | 95.74 грн |
| 1000+ | 88.30 грн |
| IPD60R210PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 12373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 178.17 грн |
| 10+ | 110.74 грн |
| 50+ | 84.30 грн |
| 100+ | 71.12 грн |
| 500+ | 57.08 грн |
| IPD60R210PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 195.55 грн |
| 10+ | 137.22 грн |
| 100+ | 96.05 грн |
| 500+ | 75.17 грн |
| 1000+ | 66.46 грн |
| IPD60R210PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 73+ | 195.55 грн |
| 104+ | 137.22 грн |
| 149+ | 96.05 грн |
| 500+ | 75.17 грн |
| 1000+ | 66.46 грн |
| IPD60R210PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3182 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 197.95 грн |
| 10+ | 95.88 грн |
| 100+ | 75.33 грн |
| 500+ | 60.19 грн |
| 1000+ | 59.02 грн |
| 2500+ | 52.80 грн |
| IPD60R210PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD60R210PFD7SAUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 64W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 64W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)