IPD60R280CFD7ATMA1

IPD60R280CFD7ATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipd60r280cfd7-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2059 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
175+69.58 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R280CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD60R280CFD7ATMA1 за ціною від 55.38 грн до 137.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R280CFD7ATMA1 IPD60R280CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r280cfd7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+71.20 грн
10+70.10 грн
25+69.00 грн
100+65.49 грн
250+59.65 грн
500+56.32 грн
1000+55.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1 IPD60R280CFD7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004165860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1 IPD60R280CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r280cfd7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+93.11 грн
134+91.19 грн
500+87.83 грн
1000+81.14 грн
2000+70.68 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1 IPD60R280CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R280CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ea38eeda031aa Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V
на замовлення 4541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.06 грн
10+76.91 грн
100+66.11 грн
500+58.22 грн
1000+57.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1 IPD60R280CFD7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004165860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.08 грн
10+90.56 грн
100+74.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1 IPD60R280CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R280CFD7_DataSheet_v02_02_EN-3362235.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 4909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.00 грн
10+101.28 грн
100+71.12 грн
250+69.65 грн
500+60.47 грн
1000+58.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1 IPD60R280CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r280cfd7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7ATMA1 IPD60R280CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R280CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ea38eeda031aa Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.