Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R280P7ATMA1
IPD60R280P7ATMA1

IPD60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IPD60R280P7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+141.08 грн
10+83.74 грн
50+74.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: SMD, Power dissipation: 53W, Gate charge: 18nC, Polarisation: unipolar, Version: ESD, Technology: CoolMOS™ P7, Drain current: 8A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Gate-source voltage: ±20V, Case: PG-TO252-3.

Інші пропозиції IPD60R280P7ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R280P7 IPD60R280P7 Infineon Technologies Infineon_IPD60R280P7_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7 Infineon_IPD60R280P7_DataSheet_v02_05_EN.pdf
IPD60R280P7
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.