IPD60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Version: ESD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 141.39 грн |
| 10+ | 83.93 грн |
| 50+ | 74.79 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 8A, Power dissipation: 53W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 18nC, Version: ESD.
Інші пропозиції IPD60R280P7ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R280P7 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IPD60R280P7 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.