Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R280P7ATMA1
IPD60R280P7ATMA1

IPD60R280P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
456+66.74 грн
500+63.90 грн
1000+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 456
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R280P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD60R280P7ATMA1 за ціною від 45.72 грн до 144.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
456+66.74 грн
500+63.90 грн
Мінімальне замовлення: 456
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37 Description: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+82.36 грн
156+78.51 грн
170+71.81 грн
200+68.07 грн
500+62.85 грн
1000+60.16 грн
2000+59.91 грн
2500+59.81 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R280P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 18nC
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+120.20 грн
10+95.56 грн
12+77.21 грн
32+72.63 грн
50+71.10 грн
75+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004582926-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+137.49 грн
10+102.91 грн
100+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R280P7_DataSheet_v02_05_EN-3362236.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.13 грн
10+104.66 грн
100+69.13 грн
250+68.77 грн
500+57.91 грн
1000+49.54 грн
2500+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R280P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 18nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.24 грн
10+119.08 грн
12+92.66 грн
32+87.15 грн
50+85.32 грн
75+83.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.