Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R280P7ATMA1
IPD60R280P7ATMA1

IPD60R280P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+76.03 грн
25000+69.48 грн
37500+62.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R280P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD60R280P7ATMA1 за ціною від 38.74 грн до 183.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
396+78.52 грн
500+70.67 грн
1000+65.17 грн
Мінімальне замовлення: 396
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
396+78.52 грн
500+70.67 грн
Мінімальне замовлення: 396
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004582926-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.43 грн
500+62.27 грн
1000+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA470B7CA4DE143&compId=IPD60R280P7.pdf?ci_sign=2eed03d5001be500c4f619418a3d594df8c87396 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.86 грн
10+80.06 грн
50+75.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA470B7CA4DE143&compId=IPD60R280P7.pdf?ci_sign=2eed03d5001be500c4f619418a3d594df8c87396 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.03 грн
10+99.77 грн
50+90.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R280P7_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.18 грн
10+107.13 грн
100+66.76 грн
500+53.64 грн
1000+46.50 грн
2500+41.22 грн
5000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+182.40 грн
108+115.24 грн
120+104.46 грн
200+82.35 грн
1000+71.29 грн
2000+60.62 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004582926-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.76 грн
10+115.83 грн
100+83.43 грн
500+62.27 грн
1000+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.