Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R280P7ATMA1
IPD60R280P7ATMA1

IPD60R280P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+86.67 грн
25000+79.19 грн
37500+71.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R280P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD60R280P7ATMA1 за ціною від 49.08 грн до 207.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+88.65 грн
500+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+88.65 грн
500+79.79 грн
1000+73.58 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R280P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.39 грн
10+83.93 грн
50+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.32 грн
10+99.84 грн
100+67.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.43 грн
10+122.42 грн
25+120.29 грн
50+112.85 грн
100+81.46 грн
250+76.02 грн
500+58.85 грн
1000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.43 грн
116+122.42 грн
118+120.29 грн
122+112.85 грн
156+81.46 грн
250+76.02 грн
500+58.85 грн
1000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+207.90 грн
108+131.36 грн
120+119.07 грн
200+93.86 грн
1000+81.25 грн
2000+69.09 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R280P7_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37 Description: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37 Description: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+88.65 грн
500+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+88.65 грн
500+79.79 грн
1000+73.58 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7.pdf
IPD60R280P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+141.39 грн
10+83.93 грн
50+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37
IPD60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+162.32 грн
10+99.84 грн
100+67.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+180.43 грн
10+122.42 грн
25+120.29 грн
50+112.85 грн
100+81.46 грн
250+76.02 грн
500+58.85 грн
1000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+180.43 грн
116+122.42 грн
118+120.29 грн
122+112.85 грн
156+81.46 грн
250+76.02 грн
500+58.85 грн
1000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 infineon-ipd60r280p7-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
69+207.90 грн
108+131.36 грн
120+119.07 грн
200+93.86 грн
1000+81.25 грн
2000+69.09 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 Infineon_IPD60R280P7_DataSheet_v02_05_EN.pdf
IPD60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37
IPD60R280P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 Infineon-IPD60R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5daa1fa44d37
IPD60R280P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.