Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R280P7S

IPD60R280P7S Infineon Technologies


Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+109.44 грн
136+104.55 грн
250+100.35 грн
500+93.28 грн
1000+83.55 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R280P7S Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: SMD, Power dissipation: 53W, Gate charge: 18nC, Polarisation: unipolar, Version: ESD, Technology: CoolMOS™ P7, Drain current: 8A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Gate-source voltage: ±20V, Case: PG-TO252-3.

Інші пропозиції IPD60R280P7S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R280P7S IPD60R280P7S Infineon Technologies Infineon-IPD60R280P7S-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7S IPD60R280P7S INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R280P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7S Infineon-IPD60R280P7S-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IPD60R280P7S
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7S IPD60R280P7S.pdf
IPD60R280P7S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.