IPD60R280P7S Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 134+ | 90.99 грн |
| 141+ | 86.92 грн |
| 250+ | 83.44 грн |
| 500+ | 77.55 грн |
| 1000+ | 69.47 грн |
| 2500+ | 64.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R280P7S Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 8A, Power dissipation: 53W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, Gate charge: 18nC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPD60R280P7S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R280P7S | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 53W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate charge: 18nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
|
|
IPD60R280P7S | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 53W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate charge: 18nC |
товару немає в наявності |