Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R280P7SAUMA1
IPD60R280P7SAUMA1

IPD60R280P7SAUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d54edbbd60f38
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.98 грн
5000+23.21 грн
7500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R280P7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD60R280P7SAUMA1 за ціною від 27.04 грн до 133.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.04 грн
5000+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.06 грн
5000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 666350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
682+51.55 грн
1000+47.53 грн
10000+42.38 грн
100000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 682 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d54edbbd60f38 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 10422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.30 грн
10+60.48 грн
100+40.29 грн
500+29.66 грн
1000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r280p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+133.93 грн
157+89.91 грн
200+81.86 грн
500+60.87 грн
1000+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d54edbbd60f38 Description: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R280P7S-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 5372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d54edbbd60f38 Description: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 infineon-ipd60r280p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD60R280P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.04 грн
5000+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 infineon-ipd60r280p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD60R280P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.06 грн
5000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 infineon-ipd60r280p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD60R280P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 666350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
682+51.55 грн
1000+47.53 грн
10000+42.38 грн
100000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 682 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 Infineon-IPD60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d54edbbd60f38
IPD60R280P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 10422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.30 грн
10+60.48 грн
100+40.29 грн
500+29.66 грн
1000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 infineon-ipd60r280p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD60R280P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
105+133.93 грн
157+89.91 грн
200+81.86 грн
500+60.87 грн
1000+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 Infineon-IPD60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d54edbbd60f38
IPD60R280P7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 Infineon-IPD60R280P7S-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IPD60R280P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 5372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 Infineon-IPD60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d54edbbd60f38
IPD60R280P7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.