Продукція > INFINEON > IPD60R280PFD7SAUMA1
IPD60R280PFD7SAUMA1

IPD60R280PFD7SAUMA1 INFINEON

INFN-S-A0009362963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.36 грн
500+44.42 грн
1000+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R280PFD7SAUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD60R280PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 51W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD60R280PFD7SAUMA1 за ціною від 34.08 грн до 153.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R280PFD7SAUMA1 IPD60R280PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r280pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
118+103.46 грн
127+96.05 грн
168+72.62 грн
200+66.12 грн
500+57.87 грн
1000+52.34 грн
2000+52.25 грн
5000+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1 IPD60R280PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R280PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e22702a14674d Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.82 грн
10+82.72 грн
100+57.66 грн
500+44.07 грн
1000+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1 IPD60R280PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009362963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R280PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.37 грн
10+97.15 грн
100+66.36 грн
500+44.42 грн
1000+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1 IPD60R280PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R280PFD7S_DataSheet_v02_00_EN-1840566.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.26 грн
10+99.59 грн
100+58.93 грн
500+47.12 грн
1000+43.45 грн
2500+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1 IPD60R280PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r280pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1 IPD60R280PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r280pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1 IPD60R280PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r280pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R280PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e22702a14674d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 7A; Idm: 31A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 549mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1 IPD60R280PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R280PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e22702a14674d Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R280PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e22702a14674d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 7A; Idm: 31A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 549mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.