IPD60R2K0C6ATMA1

IPD60R2K0C6ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD60R2K0C6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee012a0dfc6b8b064f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R2K0C6ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V, Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD60R2K0C6ATMA1 за ціною від 16.34 грн до 80.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R2K0C6ATMA1 IPD60R2K0C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r2k0c6-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1 IPD60R2K0C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R2K0C6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee012a0dfc6b8b064f Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.77 грн
10+41.33 грн
100+30.42 грн
500+22.85 грн
1000+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1 IPD60R2K0C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R2K0C6-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+70.14 грн
10+45.19 грн
100+28.88 грн
500+23.56 грн
1000+21.36 грн
2500+17.18 грн
5000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1 IPD60R2K0C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r2k0c6-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+75.98 грн
5000+75.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1 IPD60R2K0C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r2k0c6-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+80.69 грн
5000+79.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1 IPD60R2K0C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r2k0c6-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1 IPD60R2K0C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r2k0c6-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R2K0C6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee012a0dfc6b8b064f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 6A; 22.3W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance:
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 22.3W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ C6
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.