IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 20.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPD60R2K0PFD7SAUMA1 за ціною від 13.89 грн до 39.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V |
на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
товару немає в наявності |