IPD60R2K0PFD7SAUMA1

IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD60R2K0PFD7SAUMA1 за ціною від 14.71 грн до 44.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r2k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+20.68 грн
31+19.81 грн
100+17.51 грн
250+16.05 грн
500+15.06 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r2k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
571+21.33 грн
623+19.56 грн
629+19.36 грн
644+18.25 грн
1000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 571
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r2k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
567+21.50 грн
569+21.41 грн
1000+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 567
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r2k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.84 грн
500+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.31 грн
10+35.01 грн
100+25.38 грн
500+21.00 грн
1000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+37.71 грн
50+36.88 грн
100+26.84 грн
500+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R2K0PFD7S_DataSheet_v02_00_EN-1840688.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.78 грн
10+37.98 грн
100+23.85 грн
500+19.96 грн
1000+17.47 грн
2500+16.29 грн
5000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r2k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 IPD60R2K0PFD7S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.