Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R2K0PFD7SAUMA1
IPD60R2K0PFD7SAUMA1

IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Verlustleistung Pd: 20W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 20W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.

Інші пропозиції IPD60R2K0PFD7SAUMA1 за ціною від 18.29 грн до 36.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r2k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+24.62 грн
623+22.57 грн
629+22.35 грн
644+21.06 грн
1000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 571 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r2k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+24.82 грн
569+24.71 грн
1000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r2k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.70 грн
31+24.62 грн
100+21.77 грн
250+19.95 грн
500+18.72 грн
1000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r2k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.18 грн
10+33.95 грн
100+24.61 грн
500+20.36 грн
1000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 infineon-ipd60r2k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
571+24.62 грн
623+22.57 грн
629+22.35 грн
644+21.06 грн
1000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 571 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 infineon-ipd60r2k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
567+24.82 грн
569+24.71 грн
1000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 infineon-ipd60r2k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+25.70 грн
31+24.62 грн
100+21.77 грн
250+19.95 грн
500+18.72 грн
1000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 infineon-ipd60r2k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.18 грн
10+33.95 грн
100+24.61 грн
500+20.36 грн
1000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.