IPD60R2K1CEAUMA1

IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies


270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD60R2K1CEAUMA1 за ціною від 7.34 грн до 47.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.60 грн
5000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 213800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1757+17.32 грн
10000+15.45 грн
100000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 1757
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.85 грн
30000+16.31 грн
45000+15.18 грн
60000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Виробник : INFINEON 2255686.pdf Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 9946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.74 грн
11+30.71 грн
100+22.56 грн
500+16.19 грн
1000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R2K1CE_DS_v02_02_EN-1731774.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.94 грн
11+33.12 грн
100+21.73 грн
500+16.56 грн
1000+14.97 грн
2500+10.41 грн
5000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Виробник : INFINEON 2255686.pdf Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+47.14 грн
50+35.12 грн
100+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.