Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R2K1CEAUMA1
IPD60R2K1CEAUMA1

IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies

270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD60R2K1CEAUMA1 за ціною від 8.97 грн до 40.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.86 грн
5000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.93 грн
5000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.05 грн
5000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 213800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1757+20.00 грн
10000+17.83 грн
100000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 1757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.61 грн
30000+18.83 грн
45000+17.52 грн
60000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 9946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.03 грн
11+28.76 грн
100+21.12 грн
500+15.16 грн
1000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_02-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 INFINEON 2255686.pdf Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 INFINEON 2255686.pdf Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+10.86 грн
5000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+13.93 грн
5000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+14.05 грн
5000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 213800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1757+20.00 грн
10000+17.83 грн
100000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 1757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.61 грн
30000+18.83 грн
45000+17.52 грн
60000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 9946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.03 грн
11+28.76 грн
100+21.12 грн
500+15.16 грн
1000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_02-EN.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 2255686.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 2255686.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.