 
IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2500+ | 7.91 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025). 
Інші пропозиції IPD60R2K1CEAUMA1 за ціною від 8.47 грн до 55.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | IPD60R2K1CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IPD60R2K1CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V | на замовлення 5000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IPD60R2K1CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IPD60R2K1CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IPD60R2K1CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IPD60R2K1CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 213800 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IPD60R2K1CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 62500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IPD60R2K1CEAUMA1 | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 306 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IPD60R2K1CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V | на замовлення 9946 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IPD60R2K1CEAUMA1 | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 306 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IPD60R2K1CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  MOSFETs CONSUMER | на замовлення 90 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| IPD60R2K1CEAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 3.7A; 38W; DPAK; SMT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: N Mounting: SMD Electrical mounting: SMT Gate charge: 6.7nC On-state resistance: 2.1Ω Drain current: 3.7A Power dissipation: 38W Gate-source voltage: 20V Technology: MOSFET Drain-source voltage: 600V Case: DPAK | на замовлення 5000 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| IPD60R2K1CEAUMA1 | Виробник : Infineon |   | на замовлення 5000 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
|   | IPD60R2K1CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності |