Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R2K1CEAUMA1
IPD60R2K1CEAUMA1

IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies

270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 38W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm.

Інші пропозиції IPD60R2K1CEAUMA1 за ціною від 13.31 грн до 78.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.61 грн
5000+16.63 грн
7500+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.61 грн
5000+16.63 грн
7500+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 213800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1757+20.49 грн
10000+18.27 грн
100000+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 1757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.11 грн
30000+19.29 грн
45000+17.96 грн
60000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R2K1CE_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 126 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+78.67 грн
10+47.96 грн
100+27.06 грн
500+20.41 грн
1000+17.82 грн
2500+15.31 грн
5000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 INFINEON Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 INFINEON Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.61 грн
5000+16.63 грн
7500+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.61 грн
5000+16.63 грн
7500+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 213800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1757+20.49 грн
10000+18.27 грн
100000+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 1757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.11 грн
30000+19.29 грн
45000+17.96 грн
60000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon_IPD60R2K1CE_DS_v02_02_EN.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 126 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.67 грн
10+47.96 грн
100+27.06 грн
500+20.41 грн
1000+17.82 грн
2500+15.31 грн
5000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa
IPD60R2K1CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.