Продукція > INFINEON > IPD60R360CFD7ATMA1
IPD60R360CFD7ATMA1

IPD60R360CFD7ATMA1 INFINEON

Infineon-IPD60R360CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2ce90c22eda
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.295ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+95.39 грн
500+81.70 грн
1000+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R360CFD7ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD60R360CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 43W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.295ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD60R360CFD7ATMA1 за ціною від 38.98 грн до 160.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD60R360CFD7ATMA1 IPD60R360CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd60r360cfd7datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+98.82 грн
500+88.94 грн
1000+82.02 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1 IPD60R360CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd60r360cfd7datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+98.82 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1 IPD60R360CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R360CFD7_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.53 грн
10+101.32 грн
100+63.01 грн
500+53.78 грн
1000+44.90 грн
2500+39.40 грн
5000+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1 IPD60R360CFD7ATMA1 INFINEON Infineon-IPD60R360CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2ce90c22eda Description: INFINEON - IPD60R360CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.53 грн
10+102.79 грн
100+95.39 грн
500+81.70 грн
1000+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1 IPD60R360CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R360CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2ce90c22eda Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3-313
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 400 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.17 грн
10+99.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1 infineonipd60r360cfd7datasheetv0201en.pdf
IPD60R360CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
358+98.82 грн
500+88.94 грн
1000+82.02 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1 infineonipd60r360cfd7datasheetv0201en.pdf
IPD60R360CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
358+98.82 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1 Infineon_IPD60R360CFD7_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPD60R360CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+159.53 грн
10+101.32 грн
100+63.01 грн
500+53.78 грн
1000+44.90 грн
2500+39.40 грн
5000+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1 Infineon-IPD60R360CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2ce90c22eda
IPD60R360CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+159.53 грн
10+102.79 грн
100+95.39 грн
500+81.70 грн
1000+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360CFD7ATMA1 Infineon-IPD60R360CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2ce90c22eda
IPD60R360CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3-313
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 400 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+160.17 грн
10+99.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.