Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R360P7
IPD60R360P7

IPD60R360P7 Infineon Technologies

Infineon_IPD60R360P7_DataSheet_v02_07_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R360P7 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.36Ω, Mounting: SMD, Power dissipation: 41W, Gate charge: 13nC, Polarisation: unipolar, Version: ESD, Technology: CoolMOS™ P7, Drain current: 6A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Gate-source voltage: ±20V, Case: PG-TO252-3.

Інші пропозиції IPD60R360P7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R360P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 41W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 41W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.