Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R360P7ATMA1
IPD60R360P7ATMA1

IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R360P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc6a473cb9 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.21 грн
5000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400.

Інші пропозиції IPD60R360P7ATMA1 за ціною від 30.18 грн до 115.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
302+40.60 грн
307+39.97 грн
312+39.33 грн
317+37.32 грн
500+33.98 грн
1000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 302
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R360P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc6a473cb9 Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 14245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.73 грн
10+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R360P7-DataSheet-v02_07-EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.74 грн
10+39.06 грн
100+32.37 грн
1000+31.92 грн
2500+30.71 грн
5000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+44.19 грн
17+43.50 грн
25+42.82 грн
100+40.63 грн
250+37.02 грн
500+34.96 грн
1000+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002943028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
495+61.94 грн
550+55.75 грн
1000+51.41 грн
Мінімальне замовлення: 495
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
190+64.57 грн
191+64.47 грн
200+61.08 грн
500+56.37 грн
1000+54.03 грн
2000+53.77 грн
2500+53.59 грн
5000+49.74 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002943028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.40 грн
11+80.95 грн
100+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA49397A1FD2143&compId=IPD60R360P7.pdf?ci_sign=9e7e9500ebd8e602db7a1d94b31f61db7e493546 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 0.36Ω
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252-3
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA49397A1FD2143&compId=IPD60R360P7.pdf?ci_sign=9e7e9500ebd8e602db7a1d94b31f61db7e493546 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 0.36Ω
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.