Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R360P7ATMA1
IPD60R360P7ATMA1

IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R360P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc6a473cb9
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.87 грн
5000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400.

Інші пропозиції IPD60R360P7ATMA1 за ціною від 39.01 грн до 156.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+49.38 грн
290+48.60 грн
294+47.83 грн
299+45.37 грн
500+41.32 грн
1000+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.15 грн
16+49.38 грн
25+48.60 грн
100+46.12 грн
250+42.01 грн
500+39.67 грн
1000+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
236+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 236 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+70.80 грн
552+63.72 грн
1000+58.76 грн
Мінімальне замовлення: 497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+147.07 грн
144+98.07 грн
206+68.38 грн
500+56.35 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R360P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc6a473cb9 Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 6751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.26 грн
10+95.99 грн
100+64.67 грн
500+48.09 грн
1000+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002943028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R360P7_DataSheet_v02_07_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002943028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
285+49.38 грн
290+48.60 грн
294+47.83 грн
299+45.37 грн
500+41.32 грн
1000+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+50.15 грн
16+49.38 грн
25+48.60 грн
100+46.12 грн
250+42.01 грн
500+39.67 грн
1000+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
236+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 236 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
497+70.80 грн
552+63.72 грн
1000+58.76 грн
Мінімальне замовлення: 497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+147.07 грн
144+98.07 грн
206+68.38 грн
500+56.35 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 Infineon-IPD60R360P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc6a473cb9
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 6751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.26 грн
10+95.99 грн
100+64.67 грн
500+48.09 грн
1000+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 INFN-S-A0002943028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 Infineon_IPD60R360P7_DataSheet_v02_07_EN.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 INFN-S-A0002943028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.