Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R360P7ATMA1
IPD60R360P7ATMA1

IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd60r360p7-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400.

Інші пропозиції IPD60R360P7ATMA1 за ціною від 44.46 грн до 164.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.29 грн
25+55.40 грн
100+52.57 грн
250+47.89 грн
500+45.22 грн
1000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+56.29 грн
264+55.40 грн
268+54.52 грн
272+51.73 грн
500+47.10 грн
1000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+73.50 грн
552+66.15 грн
1000+61.00 грн
Мінімальне замовлення: 497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.23 грн
10+91.64 грн
50+69.02 грн
100+57.91 грн
500+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.86 грн
10+106.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.02 грн
10+110.80 грн
100+78.04 грн
500+60.55 грн
1000+51.56 грн
2500+44.71 грн
5000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+164.02 грн
132+110.80 грн
187+78.04 грн
500+60.55 грн
1000+51.56 грн
2500+44.71 грн
5000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002943028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002943028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+56.29 грн
25+55.40 грн
100+52.57 грн
250+47.89 грн
500+45.22 грн
1000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
260+56.29 грн
264+55.40 грн
268+54.52 грн
272+51.73 грн
500+47.10 грн
1000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
497+73.50 грн
552+66.15 грн
1000+61.00 грн
Мінімальне замовлення: 497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 infineon-ipd60r360p7-datasheet-en.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.23 грн
10+91.64 грн
50+69.02 грн
100+57.91 грн
500+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+153.86 грн
10+106.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+164.02 грн
10+110.80 грн
100+78.04 грн
500+60.55 грн
1000+51.56 грн
2500+44.71 грн
5000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
89+164.02 грн
132+110.80 грн
187+78.04 грн
500+60.55 грн
1000+51.56 грн
2500+44.71 грн
5000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 INFN-S-A0002943028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 INFN-S-A0002943028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.