Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R360P7ATMA1
IPD60R360P7ATMA1

IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R360P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc6a473cb9
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.80 грн
5000+31.18 грн
7500+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400.

Інші пропозиції IPD60R360P7ATMA1 за ціною від 30.32 грн до 145.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
285+48.82 грн
290+48.06 грн
294+47.30 грн
299+44.87 грн
500+40.86 грн
1000+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 285
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+49.58 грн
16+48.82 грн
25+48.06 грн
100+45.61 грн
250+41.54 грн
500+39.22 грн
1000+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002943028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.72 грн
500+43.05 грн
1000+36.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
497+70.00 грн
552+63.00 грн
1000+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 497
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R360P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc6a473cb9 Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 13966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.39 грн
10+76.95 грн
100+51.61 грн
500+38.27 грн
1000+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R360P7_DataSheet_v02_07_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.65 грн
10+82.80 грн
100+48.25 грн
500+38.07 грн
1000+34.82 грн
2500+31.29 грн
5000+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002943028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.11 грн
10+88.03 грн
100+58.72 грн
500+43.05 грн
1000+36.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+145.43 грн
144+96.97 грн
206+67.61 грн
500+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R360P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±20V
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.