IPD60R360P7SAUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 24.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R360P7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD60R360P7SAUMA1 за ціною від 21.76 грн до 112.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V |
на замовлення 4458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 5681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 9A; 41W; DPAK,TO252; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Power dissipation: 41W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |