Продукція > INFINEON > IPD60R360P7SAUMA1
IPD60R360P7SAUMA1

IPD60R360P7SAUMA1 INFINEON

2609453.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+42.51 грн
500+30.70 грн
1000+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R360P7SAUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD60R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD60R360P7SAUMA1 за ціною від 19.95 грн до 104.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD60R360P7SAUMA1 IPD60R360P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70 Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.77 грн
10+56.50 грн
100+37.31 грн
500+27.28 грн
1000+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 IPD60R360P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R360P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.85 грн
10+60.71 грн
100+34.89 грн
500+27.14 грн
1000+24.74 грн
2500+21.92 грн
5000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 IPD60R360P7SAUMA1 INFINEON 2609453.pdf Description: INFINEON - IPD60R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.79 грн
13+64.39 грн
100+42.51 грн
500+30.70 грн
1000+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 IPD60R360P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.32 грн
203+69.82 грн
294+48.18 грн
500+36.81 грн
1000+31.13 грн
2500+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 Infineon Infineon-IPD60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 Infineon-IPD60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70
IPD60R360P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+92.77 грн
10+56.50 грн
100+37.31 грн
500+27.28 грн
1000+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 Infineon_IPD60R360P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPD60R360P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+97.85 грн
10+60.71 грн
100+34.89 грн
500+27.14 грн
1000+24.74 грн
2500+21.92 грн
5000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 2609453.pdf
IPD60R360P7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+102.79 грн
13+64.39 грн
100+42.51 грн
500+30.70 грн
1000+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 infineon-ipd60r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD60R360P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
136+104.32 грн
203+69.82 грн
294+48.18 грн
500+36.81 грн
1000+31.13 грн
2500+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 Infineon-IPD60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70
Виробник: Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.