Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R360P7SE8228AUMA1
IPD60R360P7SE8228AUMA1

IPD60R360P7SE8228AUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R360P7S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.03 грн
10+60.85 грн
100+40.30 грн
500+29.54 грн
1000+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R360P7SE8228AUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPD60R360P7SE8228AUMA1 за ціною від 24.06 грн до 35.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R360P7SE8228AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf SP002367806
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf 600V Cool MOS P7 Power Transistor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
855+35.61 грн
1000+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 855
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf 600V Cool MOS P7 Power Transistor
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
855+35.61 грн
1000+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 855
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf 600V Cool MOS P7 Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1 IPD60R360P7SE8228AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R360P7S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70 Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R360P7_DataSheet_v02_07_EN-1859230.pdf MOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.