Продукція > INFINEON > IPD60R360PFD7SAUMA1
IPD60R360PFD7SAUMA1

IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON

INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.30 грн
500+27.45 грн
1000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD60R360PFD7SAUMA1 за ціною від 24.83 грн до 61.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+38.28 грн
27+32.55 грн
100+32.30 грн
500+27.45 грн
1000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
315+38.82 грн
320+38.21 грн
325+37.60 грн
330+35.67 грн
500+32.49 грн
1000+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
296+41.28 грн
300+40.67 грн
500+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 296
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+41.60 грн
25+40.94 грн
100+38.85 грн
250+35.39 грн
500+33.42 грн
1000+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.03 грн
11+34.77 грн
100+29.48 грн
500+29.17 грн
1000+27.95 грн
2500+27.65 грн
5000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+43.60 грн
1000+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750 Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.79 грн
10+46.17 грн
100+38.96 грн
500+35.17 грн
1000+32.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 715mΩ
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 43W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ PFD7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750 Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 715mΩ
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 43W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ PFD7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.