IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 36.05 грн |
| 25+ | 35.48 грн |
| 100+ | 33.67 грн |
| 250+ | 30.67 грн |
| 500+ | 28.96 грн |
| 1000+ | 28.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-344, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPD60R360PFD7SAUMA1 за ціною від 29.94 грн до 74.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V |
на замовлення 2343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 3015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 43W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 715mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 24A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 43W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 715mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 24A |
товару немає в наявності |