Продукція > INFINEON > IPD60R360PFD7SAUMA1
IPD60R360PFD7SAUMA1

IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON

INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+48.84 грн
500+32.83 грн
1000+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD60R360PFD7SAUMA1 за ціною від 27.63 грн до 124.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r360pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.47 грн
1000+53.00 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.94 грн
12+73.18 грн
100+48.84 грн
500+32.83 грн
1000+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750 Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.15 грн
10+72.08 грн
100+48.20 грн
500+35.61 грн
1000+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R360PFD7S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.17 грн
10+78.06 грн
100+45.04 грн
500+35.45 грн
1000+32.35 грн
2500+28.97 грн
5000+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 infineonipd60r360pfd7sdatasheetv0200en.pdf
IPD60R360PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
616+57.47 грн
1000+53.00 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R360PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+115.94 грн
12+73.18 грн
100+48.84 грн
500+32.83 грн
1000+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750
IPD60R360PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.15 грн
10+72.08 грн
100+48.20 грн
500+35.61 грн
1000+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon_IPD60R360PFD7S_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPD60R360PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.17 грн
10+78.06 грн
100+45.04 грн
500+35.45 грн
1000+32.35 грн
2500+28.97 грн
5000+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.