IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 673+ | 18.41 грн |
| 684+ | 18.12 грн |
| 695+ | 17.83 грн |
| 706+ | 16.92 грн |
| 718+ | 15.41 грн |
| 1000+ | 14.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD60R360PFD7SAUMA1 за ціною від 15.58 грн до 47.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V |
на замовлення 2223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 2607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPD60R360PFD7SAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 43W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 715mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 24A |
товару немає в наявності |