Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R360PFD7SAUMA1
IPD60R360PFD7SAUMA1

IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

infineonipd60r360pfd7sdatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
673+21.74 грн
684+21.40 грн
695+21.06 грн
706+19.98 грн
718+18.19 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 673 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 43W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm.

Інші пропозиції IPD60R360PFD7SAUMA1 за ціною від 17.17 грн до 153.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r360pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.06 грн
36+21.74 грн
37+20.63 грн
100+18.80 грн
250+17.76 грн
500+17.46 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+49.45 грн
300+48.72 грн
500+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r360pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+59.39 грн
1000+54.77 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineon_ipd60r360pfd7s_datasheet_en.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 80 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+153.28 грн
10+80.21 грн
100+54.20 грн
500+40.77 грн
2500+33.41 грн
5000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 infineonipd60r360pfd7sdatasheetv0200en.pdf
IPD60R360PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+38.06 грн
36+21.74 грн
37+20.63 грн
100+18.80 грн
250+17.76 грн
500+17.46 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 infineon-ipd60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf
IPD60R360PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
296+49.45 грн
300+48.72 грн
500+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 infineonipd60r360pfd7sdatasheetv0200en.pdf
IPD60R360PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
616+59.39 грн
1000+54.77 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 infineon_ipd60r360pfd7s_datasheet_en.pdf
IPD60R360PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 80 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.28 грн
10+80.21 грн
100+54.20 грн
500+40.77 грн
2500+33.41 грн
5000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R360PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R360PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.