IPD60R380C6

IPD60R380C6 Infineon Technologies


Infineon_IPD60R380C6_DataSheet_v02_04_EN-3362614.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
на замовлення 2505 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.42 грн
10+ 115.16 грн
100+ 79.45 грн
250+ 73.44 грн
500+ 66.43 грн
1000+ 57.15 грн
2500+ 54.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R380C6 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD60R380C6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD60R380C6 Виробник : Infineon Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD60R380C6 IPD60R380C6 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2 Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товар відсутній