Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R380C6ATMA1
IPD60R380C6ATMA1

IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+46.55 грн
5000+41.89 грн
7500+40.40 грн
12500+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD60R380C6ATMA1 за ціною від 42.43 грн до 160.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r380c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.38 грн
5000+62.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r380c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.89 грн
5000+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r380c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.01 грн
500+88.21 грн
1000+81.33 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R380C6_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.66 грн
10+106.99 грн
100+63.65 грн
500+50.47 грн
1000+46.31 грн
2500+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2 Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 16922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.96 грн
10+99.49 грн
100+67.60 грн
500+50.64 грн
1000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 infineonipp60r380c6datasheeten.pdf
IPD60R380C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+65.38 грн
5000+62.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 infineonipp60r380c6datasheeten.pdf
IPD60R380C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+65.89 грн
5000+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 infineonipp60r380c6datasheeten.pdf
IPD60R380C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
361+98.01 грн
500+88.21 грн
1000+81.33 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 Infineon_IPD60R380C6_DataSheet_v02_04_EN.pdf
IPD60R380C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+149.66 грн
10+106.99 грн
100+63.65 грн
500+50.47 грн
1000+46.31 грн
2500+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2
IPD60R380C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 16922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+160.96 грн
10+99.49 грн
100+67.60 грн
500+50.64 грн
1000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.