Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R380C6ATMA1
IPD60R380C6ATMA1

IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies

infineonipi60r380c6datasheeten.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
573+21.31 грн
582+20.98 грн
592+20.64 грн
601+19.59 грн
611+17.84 грн
1000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 573
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R380C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD60R380C6ATMA1 за ціною від 18.04 грн до 160.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2 Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.97 грн
5000+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipi60r380c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipi60r380c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+54.90 грн
31+22.83 грн
32+21.67 грн
100+19.75 грн
250+18.65 грн
500+18.35 грн
1000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipi60r380c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r380c6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r380c6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+97.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2 Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 24660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.63 грн
10+77.20 грн
100+61.73 грн
500+49.31 грн
1000+47.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R380C6-DataSheet-v02_04-EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.96 грн
10+84.35 грн
25+72.74 грн
100+58.65 грн
500+50.04 грн
1000+48.36 грн
2500+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0010753409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R380C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.63 грн
10+108.51 грн
100+83.13 грн
500+64.11 грн
1000+52.66 грн
5000+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r380c6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipi60r380c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; Idm: 30A; 83W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 83W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ C6
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; Idm: 30A; 83W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 83W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ C6
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.