Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R380C6ATMA1
IPD60R380C6ATMA1

IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies

infineonipi60r380c6datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
573+24.65 грн
582+24.26 грн
592+23.88 грн
601+22.65 грн
611+20.63 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 573 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R380C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm.

Інші пропозиції IPD60R380C6ATMA1 за ціною від 19.47 грн до 183.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2 Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 13880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.24 грн
7500+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipi60r380c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.26 грн
31+24.65 грн
32+23.40 грн
100+21.32 грн
250+20.14 грн
500+19.81 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipi60r380c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r380c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.74 грн
5000+62.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r380c6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r380c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.85 грн
5000+63.51 грн
7500+61.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r380c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.14 грн
5000+63.79 грн
7500+62.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r380c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+97.79 грн
500+88.01 грн
1000+81.15 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r380c6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+112.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2 Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 15689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.31 грн
10+113.23 грн
50+85.93 грн
100+72.37 грн
500+57.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R380C6_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 INFINEON INFN-S-A0010753409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R380C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2
IPD60R380C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 13880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.24 грн
7500+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 infineonipi60r380c6datasheeten.pdf
IPD60R380C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+59.26 грн
31+24.65 грн
32+23.40 грн
100+21.32 грн
250+20.14 грн
500+19.81 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 infineonipi60r380c6datasheeten.pdf
IPD60R380C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+59.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 infineonipp60r380c6datasheeten.pdf
IPD60R380C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+65.74 грн
5000+62.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 infineon-ipa60r380c6-datasheet-v02_04-en.pdf
IPD60R380C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+65.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 infineonipp60r380c6datasheeten.pdf
IPD60R380C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+66.85 грн
5000+63.51 грн
7500+61.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 infineonipp60r380c6datasheeten.pdf
IPD60R380C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+67.14 грн
5000+63.79 грн
7500+62.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 infineonipp60r380c6datasheeten.pdf
IPD60R380C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
361+97.79 грн
500+88.01 грн
1000+81.15 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 infineon-ipa60r380c6-datasheet-v02_04-en.pdf
IPD60R380C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+112.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2
IPD60R380C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 15689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.31 грн
10+113.23 грн
50+85.93 грн
100+72.37 грн
500+57.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 Infineon_IPD60R380C6_DataSheet_v02_04_EN.pdf
IPD60R380C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 INFN-S-A0010753409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R380C6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R380C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.