IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 44.37 грн |
| 5000+ | 42.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R380C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPD60R380C6ATMA1 за ціною від 45.98 грн до 159.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R380C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R380C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R380C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R380C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R380C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R380C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V |
на замовлення 27495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R380C6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R380C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R380C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2 |
на замовлення 722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R380C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD60R380C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPD60R380C6ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD60R380C6ATMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |