Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R380E6ATMA2
IPD60R380E6ATMA2

IPD60R380E6ATMA2 Infineon Technologies

Infineon--DS-v02_05-EN.pdf?fileId=db3a30433ea3aef6013eb24aa4521c2a Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
462+49.14 грн
Мінімальне замовлення: 462
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R380E6ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD60R380E6ATMA2 за ціною від 53.89 грн до 57.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R380E6ATMA2 IPD60R380E6ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 1131841458710614infineon-ipp60r380e6-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a304327b8975001281f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
534+57.05 грн
1000+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 534
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380E6ATMA2 IPD60R380E6ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 1131841458710614infineon-ipp60r380e6-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a304327b8975001281f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
534+57.05 грн
1000+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 534
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380E6ATMA2 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon--DS-v02_05-EN.pdf?fileId=db3a30433ea3aef6013eb24aa4521c2a Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R380E6ATMA2 - IPD60R380 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
445+54.42 грн
Мінімальне замовлення: 445
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380E6ATMA2 IPD60R380E6ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon--DS-v02_05-EN.pdf?fileId=db3a30433ea3aef6013eb24aa4521c2a Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.