Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R380P6ATMA1
IPD60R380P6ATMA1

IPD60R380P6ATMA1 Infineon Technologies

infineonipb60r380p6datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+45.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R380P6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R380P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.342ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD60R380P6ATMA1 за ціною від 31.65 грн до 163.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD60R380P6ATMA1 IPD60R380P6ATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r380p6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 IPD60R380P6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203 Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 IPD60R380P6ATMA1 INFINEON Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203 Description: INFINEON - IPD60R380P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.342ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.71 грн
500+41.00 грн
1000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 IPD60R380P6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX60R380P6-DataSheet-v02_04-EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
на замовлення 7306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.68 грн
10+85.92 грн
100+50.32 грн
500+39.96 грн
1000+36.51 грн
2500+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 IPD60R380P6ATMA1 INFINEON Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203 Description: INFINEON - IPD60R380P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.342ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.68 грн
10+87.16 грн
100+58.71 грн
500+41.00 грн
1000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 IPD60R380P6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203 Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
на замовлення 4747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.34 грн
10+99.95 грн
100+67.37 грн
500+50.13 грн
1000+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 infineonipb60r380p6datasheeten.pdf
IPD60R380P6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+45.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203
IPD60R380P6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203
IPD60R380P6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R380P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.342ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+58.71 грн
500+41.00 грн
1000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 Infineon-IPX60R380P6-DataSheet-v02_04-EN.pdf
IPD60R380P6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
на замовлення 7306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+135.68 грн
10+85.92 грн
100+50.32 грн
500+39.96 грн
1000+36.51 грн
2500+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203
IPD60R380P6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R380P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.342ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+135.68 грн
10+87.16 грн
100+58.71 грн
500+41.00 грн
1000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203
IPD60R380P6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
на замовлення 4747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+163.34 грн
10+99.95 грн
100+67.37 грн
500+50.13 грн
1000+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.