Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R385CPATMA1
IPD60R385CPATMA1

IPD60R385CPATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R385CP-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012385595fd16763 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R385CPATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD60R385CPATMA1 за ціною від 58.83 грн до 206.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r385cp-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+77.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r385cp-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+97.43 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r385cp-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+117.21 грн
500+105.49 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r385cp-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+117.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R385CP-DataSheet-v02_06-EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 9A DPAK-2
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.96 грн
10+123.35 грн
100+80.84 грн
500+68.04 грн
2500+58.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r385cp-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+192.76 грн
94+135.25 грн
96+132.64 грн
131+93.50 грн
250+86.02 грн
500+68.54 грн
1000+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R385CP-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012385595fd16763 Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
на замовлення 7711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.47 грн
10+126.48 грн
100+87.02 грн
500+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r385cp-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+206.53 грн
10+144.91 грн
25+142.11 грн
100+100.18 грн
250+92.17 грн
500+73.44 грн
1000+68.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS16984-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R385CPATMA1 - IPD60R385 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r385cp-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r385cp-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.