Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R385CPATMA1
IPD60R385CPATMA1

IPD60R385CPATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R385CP-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012385595fd16763
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+63.43 грн
5000+57.35 грн
7500+56.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R385CPATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD60R385CPATMA1 за ціною від 65.05 грн до 209.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r385cp-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.35 грн
5000+84.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r385cp-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.56 грн
5000+85.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r385cp-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+137.59 грн
500+123.48 грн
1000+114.20 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R385CP-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012385595fd16763 Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
на замовлення 46446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.59 грн
10+130.66 грн
100+90.07 грн
500+68.22 грн
1000+65.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R385CP_DataSheet_v02_06_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 9A DPAK-2
на замовлення 5288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS INFNS16984-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R385CPATMA1 - IPD60R385 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 infineon-ipd60r385cp-datasheet-v02_06-en.pdf
IPD60R385CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+88.35 грн
5000+84.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 infineon-ipd60r385cp-datasheet-v02_06-en.pdf
IPD60R385CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+88.56 грн
5000+85.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 infineon-ipd60r385cp-datasheet-v02_06-en.pdf
IPD60R385CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
257+137.59 грн
500+123.48 грн
1000+114.20 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 Infineon-IPD60R385CP-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012385595fd16763
IPD60R385CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
на замовлення 46446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+209.59 грн
10+130.66 грн
100+90.07 грн
500+68.22 грн
1000+65.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 Infineon_IPD60R385CP_DataSheet_v02_06_EN.pdf
IPD60R385CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 9A DPAK-2
на замовлення 5288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 INFNS16984-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD60R385CPATMA1
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R385CPATMA1 - IPD60R385 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.