Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R385CPATMA1
IPD60R385CPATMA1

IPD60R385CPATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd60r385cp-datasheet-v02_06-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+93.82 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R385CPATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD60R385CPATMA1 за ціною від 64.74 грн до 199.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r385cp-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+155.19 грн
10+121.01 грн
25+119.80 грн
100+89.72 грн
250+82.24 грн
500+76.81 грн
1000+74.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R385CP-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012385595fd16763 Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.28 грн
10+120.39 грн
100+89.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R385CP_DataSheet_v02_06_EN-3362497.pdf MOSFETs N-Ch 600V 9A DPAK-2
на замовлення 6542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.12 грн
10+137.90 грн
100+89.02 грн
250+86.07 грн
500+72.02 грн
1000+65.92 грн
2500+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS16984-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R385CPATMA1 - IPD60R385 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r385cp-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r385cp-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R385CP-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012385595fd16763 IPD60R385CPATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R385CP-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012385595fd16763 Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.