Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R3K3C6ATMA1
IPD60R3K3C6ATMA1

IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd60r3k3c6-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.41 грн
5000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 2.97 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 18.1W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.97ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD60R3K3C6ATMA1 за ціною від 15.04 грн до 74.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4535358054498699dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304329a0f6e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R3K3C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129f96874465b3a Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r3k3c6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.90 грн
5000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r3k3c6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
418+29.15 грн
497+24.51 грн
502+24.26 грн
551+21.31 грн
1000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 418
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 2.97 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.97ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.61 грн
500+24.39 грн
1000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r3k3c6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+32.85 грн
23+27.07 грн
100+21.94 грн
250+20.12 грн
500+17.59 грн
1000+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R3K3C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129f96874465b3a Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 4701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.40 грн
10+34.02 грн
100+26.11 грн
500+22.14 грн
1000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 2.97 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.97ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.72 грн
50+43.88 грн
100+31.61 грн
500+24.39 грн
1000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R3K3C6_DataSheet_v02_04_EN-3362479.pdf MOSFETs N-Ch 650V 1.7A DPAK-2
на замовлення 27407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.06 грн
10+46.25 грн
100+28.48 грн
500+23.26 грн
1000+20.84 грн
2500+17.32 грн
5000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r3k3c6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R3K3C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129f96874465b3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; Idm: 4A; 18.1W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 18.1W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R3K3C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129f96874465b3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; Idm: 4A; 18.1W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 18.1W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.