Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R3K3C6ATMA1
IPD60R3K3C6ATMA1

IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd60r3k3c6-datasheet-v02_04-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1169+12.03 грн
1208+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 1169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 18.1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm.

Інші пропозиції IPD60R3K3C6ATMA1 за ціною від 18.54 грн до 73.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R3K3C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129f96874465b3a Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r3k3c6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.81 грн
5000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r3k3c6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.37 грн
5000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r3k3c6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.55 грн
5000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r3k3c6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
511+27.51 грн
554+25.39 грн
557+25.24 грн
650+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 511 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r3k3c6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.24 грн
27+27.78 грн
28+27.51 грн
100+24.48 грн
250+22.54 грн
500+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R3K3C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129f96874465b3a Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.12 грн
10+44.10 грн
100+28.84 грн
500+20.90 грн
1000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R3K3C6_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 650V 1.7A DPAK-2
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 INFINEON INFNS15843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 INFINEON INFNS15843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon-IPD60R3K3C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129f96874465b3a
IPD60R3K3C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 infineon-ipd60r3k3c6-datasheet-v02_04-en.pdf
IPD60R3K3C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.81 грн
5000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 infineon-ipd60r3k3c6-datasheet-v02_04-en.pdf
IPD60R3K3C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.37 грн
5000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 infineon-ipd60r3k3c6-datasheet-v02_04-en.pdf
IPD60R3K3C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.55 грн
5000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 infineon-ipd60r3k3c6-datasheet-v02_04-en.pdf
IPD60R3K3C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
511+27.51 грн
554+25.39 грн
557+25.24 грн
650+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 511 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 infineon-ipd60r3k3c6-datasheet-v02_04-en.pdf
IPD60R3K3C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+30.24 грн
27+27.78 грн
28+27.51 грн
100+24.48 грн
250+22.54 грн
500+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon-IPD60R3K3C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129f96874465b3a
IPD60R3K3C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.12 грн
10+44.10 грн
100+28.84 грн
500+20.90 грн
1000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon_IPD60R3K3C6_DataSheet_v02_04_EN.pdf
IPD60R3K3C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 1.7A DPAK-2
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 INFNS15843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R3K3C6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 INFNS15843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R3K3C6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.