IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 690+ | 17.95 грн |
| 691+ | 17.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 2.97 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 18.1W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.97ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPD60R3K3C6ATMA1 за ціною від 16.04 грн до 50.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R3K3C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R3K3C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R3K3C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R3K3C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R3K3C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R3K3C6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 2.97 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 18.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.97ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R3K3C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V |
на замовлення 4441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R3K3C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 1.7A DPAK-2 |
на замовлення 9871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R3K3C6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 18.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R3K3C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPD60R3K3C6ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; Idm: 4A; 18.1W; PG-TO252 Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Mounting: SMD On-state resistance: 3.3Ω Drain current: 1.1A Pulsed drain current: 4A Power dissipation: 18.1W Gate-source voltage: ±20V Technology: CoolMOS™ C6 Drain-source voltage: 600V Case: PG-TO252 |
товару немає в наявності |