IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 25.30 грн |
| 5000+ | 22.66 грн |
| 10000+ | 21.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 18.1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm.
Інші пропозиції IPD60R3K3C6ATMA1 за ціною від 19.55 грн до 30.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD60R3K3C6ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPD60R3K3C6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPD60R3K3C6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPD60R3K3C6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 18.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IPD60R3K3C6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 18.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD60R3K3C6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 25.32 грн |
| 5000+ | 22.67 грн |
| 10000+ | 21.30 грн |
| IPD60R3K3C6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 519+ | 27.33 грн |
| 561+ | 25.27 грн |
| 567+ | 25.02 грн |
| 622+ | 22.00 грн |
| IPD60R3K3C6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 30.67 грн |
| 28+ | 27.33 грн |
| 100+ | 24.37 грн |
| 250+ | 22.34 грн |
| 500+ | 19.55 грн |
| IPD60R3K3C6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD60R3K3C6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)