Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R3K4CEAUMA1
IPD60R3K4CEAUMA1

IPD60R3K4CEAUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537fcd09123a87
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R3K4CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 29W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD60R3K4CEAUMA1 за ціною від 10.49 грн до 51.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R3K4CEAUMA1 IPD60R3K4CEAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r3k4cedsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.87 грн
5000+12.83 грн
7500+12.70 грн
12500+12.12 грн
17500+11.13 грн
25000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1 IPD60R3K4CEAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r3k4cedsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.99 грн
5000+12.93 грн
7500+12.80 грн
12500+12.21 грн
17500+11.22 грн
25000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1 IPD60R3K4CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537fcd09123a87 Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+30.66 грн
100+19.71 грн
500+14.07 грн
1000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1 Infineon Infineon-IPD60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537fcd09123a87
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1 infineonipd60r3k4cedsen.pdf
IPD60R3K4CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+13.87 грн
5000+12.83 грн
7500+12.70 грн
12500+12.12 грн
17500+11.13 грн
25000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1 infineonipd60r3k4cedsen.pdf
IPD60R3K4CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+13.99 грн
5000+12.93 грн
7500+12.80 грн
12500+12.21 грн
17500+11.22 грн
25000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1 Infineon-IPD60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537fcd09123a87
IPD60R3K4CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.26 грн
10+30.66 грн
100+19.71 грн
500+14.07 грн
1000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1 Infineon-IPD60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537fcd09123a87
Виробник: Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.