Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R3K4CEAUMA1
IPD60R3K4CEAUMA1

IPD60R3K4CEAUMA1 Infineon Technologies

3616infineon-ipu60r3k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401537f.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R3K4CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 29W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD60R3K4CEAUMA1 за ціною від 13.28 грн до 58.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R3K4CEAUMA1 IPD60R3K4CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537fcd09123a87 Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1 IPD60R3K4CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 3616infineon-ipu60r3k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401537f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.57 грн
5000+38.36 грн
10000+38.13 грн
15000+36.56 грн
20000+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1 IPD60R3K4CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 3616infineon-ipu60r3k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401537f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.96 грн
5000+40.74 грн
10000+40.49 грн
15000+38.82 грн
20000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1 IPD60R3K4CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537fcd09123a87 Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.65 грн
10+35.00 грн
100+22.58 грн
500+16.15 грн
1000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537fcd09123a87 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 2.6A; 29W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 3.17Ω
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 29W
Gate-source voltage: 20V
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPD60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537fcd09123a87
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1 IPD60R3K4CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 3616infineon-ipu60r3k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401537f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1 IPD60R3K4CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 3616infineon-ipu60r3k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401537f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1 IPD60R3K4CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R3K4CE_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.