IPD60R3K4CEAUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 12.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R3K4CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 29W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPD60R3K4CEAUMA1 за ціною від 10.28 грн до 51.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R3K4CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R3K4CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R3K4CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V |
на замовлення 3116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPD60R3K4CEAUMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
IPD60R3K4CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPD60R3K4CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IPD60R3K4CEAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; 29W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.6A Power dissipation: 29W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 3.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 4.6nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |