IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+35.28 грн
5000+31.53 грн
7500+30.28 грн
12500+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 112W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA, Supplier Device Package: PG-TO252-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD60R400CEAUMA1 за ціною від 25.59 грн до 130.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R400CE_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.59 грн
10+73.19 грн
100+42.36 грн
500+33.27 грн
1000+30.38 грн
2500+27.14 грн
5000+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c Description: MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 17051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.83 грн
10+79.49 грн
100+52.98 грн
500+39.04 грн
1000+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 Infineon_IPD60R400CE_DS_v02_02_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+117.59 грн
10+73.19 грн
100+42.36 грн
500+33.27 грн
1000+30.38 грн
2500+27.14 грн
5000+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 17051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+130.83 грн
10+79.49 грн
100+52.98 грн
500+39.04 грн
1000+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.