Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R400CEAUMA1
IPD60R400CEAUMA1

IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+31.69 грн
5000+28.33 грн
7500+27.22 грн
12500+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 112W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm.

Інші пропозиції IPD60R400CEAUMA1 за ціною від 29.75 грн до 141.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r400ce-ds-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.14 грн
5000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r400ce-ds-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.14 грн
5000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r400ce-ds-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.69 грн
5000+39.29 грн
7500+38.90 грн
10000+34.14 грн
12500+31.31 грн
17500+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r400ce-ds-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.86 грн
5000+39.45 грн
7500+39.07 грн
10000+34.29 грн
12500+31.42 грн
17500+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.20 грн
5000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies infineonips60r400cedsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+53.28 грн
1000+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r400ce-ds-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.91 грн
156+91.17 грн
217+65.38 грн
250+62.41 грн
500+45.01 грн
1000+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.38 грн
143+99.58 грн
235+60.48 грн
252+54.45 грн
1000+44.72 грн
2000+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.38 грн
143+99.58 грн
235+60.48 грн
252+54.45 грн
1000+44.72 грн
2000+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c Description: MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 16936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.50 грн
10+71.05 грн
100+47.44 грн
500+35.01 грн
1000+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r400ce-ds-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.65 грн
10+90.00 грн
100+63.92 грн
500+48.51 грн
1000+41.61 грн
2500+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r400ce-ds-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.65 грн
158+90.00 грн
222+63.92 грн
500+48.51 грн
1000+41.61 грн
2500+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r400ce-ds-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.94 грн
10+97.91 грн
25+91.17 грн
100+63.04 грн
250+57.79 грн
500+43.21 грн
1000+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002362965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 112W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 4761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R400CE_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002362965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 112W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 4761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 infineon-ipd60r400ce-ds-en.pdf
IPD60R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.14 грн
5000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 infineon-ipd60r400ce-ds-en.pdf
IPD60R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.14 грн
5000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 infineon-ipd60r400ce-ds-en.pdf
IPD60R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.69 грн
5000+39.29 грн
7500+38.90 грн
10000+34.14 грн
12500+31.31 грн
17500+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 infineon-ipd60r400ce-ds-en.pdf
IPD60R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.86 грн
5000+39.45 грн
7500+39.07 грн
10000+34.29 грн
12500+31.42 грн
17500+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf
IPD60R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.20 грн
5000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf
IPD60R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 infineonips60r400cedsv0202en.pdf
IPD60R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
666+53.28 грн
1000+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 infineon-ipd60r400ce-ds-en.pdf
IPD60R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
145+97.91 грн
156+91.17 грн
217+65.38 грн
250+62.41 грн
500+45.01 грн
1000+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf
IPD60R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+109.38 грн
143+99.58 грн
235+60.48 грн
252+54.45 грн
1000+44.72 грн
2000+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf
IPD60R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+109.38 грн
143+99.58 грн
235+60.48 грн
252+54.45 грн
1000+44.72 грн
2000+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c
IPD60R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 16936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.50 грн
10+71.05 грн
100+47.44 грн
500+35.01 грн
1000+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 infineon-ipd60r400ce-ds-en.pdf
IPD60R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+125.65 грн
10+90.00 грн
100+63.92 грн
500+48.51 грн
1000+41.61 грн
2500+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 infineon-ipd60r400ce-ds-en.pdf
IPD60R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
113+125.65 грн
158+90.00 грн
222+63.92 грн
500+48.51 грн
1000+41.61 грн
2500+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 infineon-ipd60r400ce-ds-en.pdf
IPD60R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+141.94 грн
10+97.91 грн
25+91.17 грн
100+63.04 грн
250+57.79 грн
500+43.21 грн
1000+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 INFN-S-A0002362965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R400CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 112W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 4761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 Infineon_IPD60R400CE_DS_v02_02_EN.pdf
IPD60R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 INFN-S-A0002362965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R400CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 112W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 4761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.