Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R400CEAUMA1
IPD60R400CEAUMA1

IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.66 грн
5000+28.35 грн
7500+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 112W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD60R400CEAUMA1 за ціною від 27.49 грн до 122.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.47 грн
5000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.37 грн
5000+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonips60r400cedsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
666+46.52 грн
1000+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 666
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002362965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 112W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.00 грн
500+42.00 грн
1000+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+95.51 грн
143+86.96 грн
235+52.81 грн
252+47.54 грн
1000+39.05 грн
2000+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+95.51 грн
143+86.96 грн
235+52.81 грн
252+47.54 грн
1000+39.05 грн
2000+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c Description: MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 10141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.91 грн
10+72.55 грн
100+48.60 грн
500+35.97 грн
1000+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002362965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 112W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+106.23 грн
12+74.53 грн
100+58.00 грн
500+42.00 грн
1000+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 5043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.06 грн
10+81.59 грн
100+46.89 грн
500+37.42 грн
1000+34.14 грн
2500+29.94 грн
5000+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonips60r400cedsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonips60r400cedsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.3A; Idm: 30A; 112W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 9.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 112W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ CE
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.