IPD60R460CEAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 754+ | 40.39 грн |
| 1000+ | 38.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R460CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: CONSUMER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-344, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPD60R460CEAUMA1 за ціною від 32.81 грн до 99.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R460CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFET CONSUMER |
на замовлення 2154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPD60R460CEAUMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R460CEAUMA1 - IPD60R460 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
IPD60R460CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPD60R460CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: CONSUMER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 74W Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |