IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 33.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R600C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPD60R600C6ATMA1 за ціною від 32.11 грн до 107.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R600C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
на замовлення 8730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 20.2A DPAK-2 |
на замовлення 45031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD60R600C6ATMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |