Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R600C6ATMA1
IPD60R600C6ATMA1

IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R600C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013eef7f5937259b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R600C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD60R600C6ATMA1 за ціною від 35.04 грн до 125.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r600c6-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r600c6-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipa60r600c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.81 грн
25+52.28 грн
100+44.76 грн
250+41.18 грн
500+39.35 грн
1000+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipa60r600c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+52.81 грн
269+52.28 грн
303+46.42 грн
305+44.47 грн
500+40.98 грн
1000+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipa60r600c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 123590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+71.91 грн
543+64.72 грн
1000+59.69 грн
10000+51.31 грн
100000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R600C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013eef7f5937259b Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 3617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.47 грн
10+76.94 грн
100+51.64 грн
500+38.31 грн
1000+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R600C6_DataSheet_v02_06_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 20.2A DPAK-2
на замовлення 44555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 INFINEON INFNS28011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R600C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 infineon-ipb60r600c6-datasheet-v02_06-en.pdf
IPD60R600C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+51.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 infineon-ipb60r600c6-datasheet-v02_06-en.pdf
IPD60R600C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 infineonipa60r600c6datasheeten.pdf
IPD60R600C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+52.81 грн
25+52.28 грн
100+44.76 грн
250+41.18 грн
500+39.35 грн
1000+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 infineonipa60r600c6datasheeten.pdf
IPD60R600C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
267+52.81 грн
269+52.28 грн
303+46.42 грн
305+44.47 грн
500+40.98 грн
1000+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 infineonipa60r600c6datasheeten.pdf
IPD60R600C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 123590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
489+71.91 грн
543+64.72 грн
1000+59.69 грн
10000+51.31 грн
100000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 Infineon-IPD60R600C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013eef7f5937259b
IPD60R600C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 3617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.47 грн
10+76.94 грн
100+51.64 грн
500+38.31 грн
1000+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 Infineon_IPD60R600C6_DataSheet_v02_06_EN.pdf
IPD60R600C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 20.2A DPAK-2
на замовлення 44555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 INFNS28011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R600C6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R600C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.