IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD60R600C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013eef7f5937259b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD60R600C6ATMA1 за ціною від 28.47 грн до 129.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R600C6_DataSheet_v02_06_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 20.2A DPAK-2
на замовлення 44555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.57 грн
10+47.58 грн
100+35.31 грн
500+34.18 грн
1000+31.79 грн
2500+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R600C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013eef7f5937259b Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 3617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.25 грн
10+79.26 грн
100+53.20 грн
500+39.46 грн
1000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 Infineon_IPD60R600C6_DataSheet_v02_06_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 20.2A DPAK-2
на замовлення 44555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.57 грн
10+47.58 грн
100+35.31 грн
500+34.18 грн
1000+31.79 грн
2500+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 Infineon-IPD60R600C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013eef7f5937259b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 3617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+129.25 грн
10+79.26 грн
100+53.20 грн
500+39.46 грн
1000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.