IPD60R600C6ATMA1

IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD60R600C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013eef7f5937259b Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R600C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD60R600C6ATMA1 за ціною від 32.19 грн до 107.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r600c6-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r600c6-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r600c6-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
287+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 287
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r600c6-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r600c6-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+46.96 грн
25+46.50 грн
100+40.47 грн
250+37.09 грн
500+34.20 грн
1000+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r600c6-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
588+51.94 грн
1000+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 588
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS28011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R600C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.91 грн
15+58.68 грн
100+47.95 грн
500+41.31 грн
1000+35.16 грн
5000+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R600C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013eef7f5937259b Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 8730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.33 грн
10+62.84 грн
100+49.32 грн
500+40.17 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R600C6_DataSheet_v02_06_EN-3362427.pdf MOSFETs N-Ch 600V 20.2A DPAK-2
на замовлення 45031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.29 грн
10+75.21 грн
100+48.26 грн
500+40.76 грн
1000+37.81 грн
2500+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r600c6-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013eef7f5937259b IPD60R600C6ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.