Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R600CM8XTMA1
IPD60R600CM8XTMA1

IPD60R600CM8XTMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd60r600cm8-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
160+77.34 грн
191+64.73 грн
212+58.17 грн
250+52.03 грн
500+44.41 грн
1000+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R600CM8XTMA1 Infineon Technologies

Description: IPD60R600CM8XTMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 64W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPD60R600CM8XTMA1 за ціною від 21.97 грн до 115.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R600CM8XTMA1 IPD60R600CM8XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IPD60R600CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.11 грн
10+56.45 грн
100+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1 IPD60R600CM8XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R600CM8-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.45 грн
10+60.22 грн
100+37.09 грн
500+30.71 грн
1000+26.53 грн
2500+22.50 грн
5000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1 IPD60R600CM8XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600cm8-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+115.65 грн
10+82.87 грн
25+69.35 грн
100+60.10 грн
250+51.62 грн
500+45.67 грн
1000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1 IPD60R600CM8XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600cm8-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600cm8-datasheet-v02_02-en.pdf MOSFET Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1 IPD60R600CM8XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IPD60R600CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.