IPD60R600CM8XTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD60R600CM8-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8d0f53010476
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPD60R600CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R600CM8XTMA1 Infineon Technologies

Description: IPD60R600CM8XTMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 64W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPD60R600CM8XTMA1 за ціною від 31.17 грн до 123.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R600CM8XTMA1 IPD60R600CM8XTMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r600cm8-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+88.60 грн
191+74.15 грн
212+66.64 грн
250+59.60 грн
500+50.87 грн
1000+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1 IPD60R600CM8XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R600CM8-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8d0f53010476 Description: IPD60R600CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.22 грн
10+63.84 грн
50+47.66 грн
100+39.82 грн
500+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1 IPD60R600CM8XTMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r600cm8-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.65 грн
10+88.60 грн
25+74.15 грн
100+64.26 грн
250+55.19 грн
500+48.84 грн
1000+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1 IPD60R600CM8XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R600CM8_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1 infineon-ipd60r600cm8-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
160+88.60 грн
191+74.15 грн
212+66.64 грн
250+59.60 грн
500+50.87 грн
1000+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1 Infineon-IPD60R600CM8-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8d0f53010476
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPD60R600CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+105.22 грн
10+63.84 грн
50+47.66 грн
100+39.82 грн
500+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1 infineon-ipd60r600cm8-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+123.65 грн
10+88.60 грн
25+74.15 грн
100+64.26 грн
250+55.19 грн
500+48.84 грн
1000+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1 Infineon_IPD60R600CM8_DataSheet_v02_02_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.