IPD60R600CM8XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPD60R600CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R600CM8XTMA1 Infineon Technologies
Description: IPD60R600CM8XTMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 64W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPD60R600CM8XTMA1 за ціною від 31.17 грн до 123.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD60R600CM8XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R600CM8XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: IPD60R600CM8XTMA1Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R600CM8XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R600CM8XTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 3007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPD60R600CM8XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 160+ | 88.60 грн |
| 191+ | 74.15 грн |
| 212+ | 66.64 грн |
| 250+ | 59.60 грн |
| 500+ | 50.87 грн |
| 1000+ | 43.64 грн |
| IPD60R600CM8XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPD60R600CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
Description: IPD60R600CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 105.22 грн |
| 10+ | 63.84 грн |
| 50+ | 47.66 грн |
| 100+ | 39.82 грн |
| 500+ | 31.17 грн |
| IPD60R600CM8XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 123.65 грн |
| 10+ | 88.60 грн |
| 25+ | 74.15 грн |
| 100+ | 64.26 грн |
| 250+ | 55.19 грн |
| 500+ | 48.84 грн |
| 1000+ | 43.64 грн |
| IPD60R600CM8XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




