Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R600CM8XTMA1
IPD60R600CM8XTMA1

IPD60R600CM8XTMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd60r600cm8-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7A T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+56.01 грн
25+55.45 грн
100+49.85 грн
250+44.95 грн
500+41.96 грн
1000+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R600CM8XTMA1 Infineon Technologies

Description: IPD60R600CM8XTMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 64W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPD60R600CM8XTMA1 за ціною від 28.57 грн до 84.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R600CM8XTMA1 IPD60R600CM8XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600cm8-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
203+60.32 грн
205+59.72 грн
220+55.67 грн
250+52.28 грн
500+47.08 грн
1000+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1 IPD60R600CM8XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IPD60R600CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.47 грн
10+55.27 грн
100+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1 IPD60R600CM8XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R600CM8_DataSheet_v02_02_EN-3445917.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.12 грн
10+68.20 грн
100+46.14 грн
500+39.07 грн
1000+31.85 грн
2500+29.99 грн
5000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1 IPD60R600CM8XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600cm8-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600cm8-datasheet-v02_02-en.pdf MOSFET Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600CM8XTMA1 IPD60R600CM8XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IPD60R600CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.