
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 119.87 грн |
10+ | 79.67 грн |
100+ | 55.04 грн |
500+ | 45.80 грн |
1000+ | 39.70 грн |
2500+ | 37.21 грн |
5000+ | 35.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R600E6ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPD60R600E6ATMA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
IPD60R600E6ATMA1 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
IPD60R600E6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IPD60R600E6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IPD60R600E6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |