Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R600E6ATMA1
IPD60R600E6ATMA1

IPD60R600E6ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipa60r600e6-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
489+63.41 грн
543+57.06 грн
1000+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 489
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R600E6ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD60R600E6ATMA1 за ціною від 30.85 грн до 144.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R600E6ATMA1 IPD60R600E6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r600e6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+67.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600E6ATMA1 IPD60R600E6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r600e6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+71.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600E6ATMA1 IPD60R600E6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R600E6_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.33 грн
10+90.46 грн
100+52.24 грн
500+42.77 грн
1000+37.42 грн
2500+32.30 грн
5000+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600E6ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPD60R600E6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1f009327039e
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600E6ATMA1 IPD60R600E6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r600e6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600E6ATMA1 IPD60R600E6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1134967314038519infineon-ipa60r600e6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a304327b8975001281b.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600E6ATMA1 IPD60R600E6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R600E6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1f009327039e Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.