Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R600P6ATMA1
IPD60R600P6ATMA1

IPD60R600P6ATMA1 Infineon Technologies

infineonipb60r600p6datasheeten.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R600P6ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD60R600P6ATMA1 за ціною від 28.81 грн до 146.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb60r600p6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb60r600p6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
633+48.68 грн
1000+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 633
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb60r600p6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
633+48.68 грн
1000+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 633
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPx60R600P6-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.29 грн
10+73.77 грн
100+49.10 грн
500+38.76 грн
1000+35.42 грн
2500+31.24 грн
5000+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
на замовлення 4896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.35 грн
10+89.70 грн
100+60.42 грн
500+44.96 грн
1000+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 7.3A; 63W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 63W
Gate-source voltage: 20V
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r600p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014edf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb60r600p6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.