Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R600P6ATMA1
IPD60R600P6ATMA1

IPD60R600P6ATMA1 Infineon Technologies

DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R600P6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R600P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm.

Інші пропозиції IPD60R600P6ATMA1 за ціною від 33.23 грн до 120.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r600p6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r600p6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r600p6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.69 грн
5000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r600p6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.70 грн
5000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r600p6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
633+55.90 грн
1000+51.54 грн
Мінімальне замовлення: 633 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r600p6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
633+55.90 грн
1000+51.54 грн
Мінімальне замовлення: 633 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Infineon Technologies DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.89 грн
10+73.58 грн
100+49.23 грн
500+36.38 грн
1000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPx60R600P6-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 INFINEON 3737949.pdf Description: INFINEON - IPD60R600P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 infineonipb60r600p6datasheeten.pdf
IPD60R600P6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 infineonipb60r600p6datasheeten.pdf
IPD60R600P6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 infineonipb60r600p6datasheeten.pdf
IPD60R600P6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.69 грн
5000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 infineonipb60r600p6datasheeten.pdf
IPD60R600P6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.70 грн
5000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 infineonipb60r600p6datasheeten.pdf
IPD60R600P6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
633+55.90 грн
1000+51.54 грн
Мінімальне замовлення: 633 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 infineonipb60r600p6datasheeten.pdf
IPD60R600P6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
633+55.90 грн
1000+51.54 грн
Мінімальне замовлення: 633 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681
IPD60R600P6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.89 грн
10+73.58 грн
100+49.23 грн
500+36.38 грн
1000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 Infineon-IPx60R600P6-DataSheet-v02_03-EN.pdf
IPD60R600P6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 3737949.pdf
IPD60R600P6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R600P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.