Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R600P7ATMA1
IPD60R600P7ATMA1

IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd60r600p7-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+31.33 грн
7500+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 30W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm.

Інші пропозиції IPD60R600P7ATMA1 за ціною від 28.74 грн до 127.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+52.16 грн
1000+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.62 грн
153+93.38 грн
207+68.82 грн
219+62.70 грн
500+51.60 грн
2500+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
на замовлення 9278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.93 грн
10+70.12 грн
50+52.53 грн
100+43.96 грн
500+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipd60r600p7_datasheet_en.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+127.98 грн
10+59.71 грн
100+43.88 грн
500+36.20 грн
1000+33.49 грн
2500+29.84 грн
5000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 INFINEON 2362699.pdf Description: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 INFINEON 2362699.pdf Description: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf
IPD60R600P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf
IPD60R600P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
683+52.16 грн
1000+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf
IPD60R600P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf
IPD60R600P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+65.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf
IPD60R600P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
142+100.62 грн
153+93.38 грн
207+68.82 грн
219+62.70 грн
500+51.60 грн
2500+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 infineon-ipd60r600p7-datasheet-en.pdf
IPD60R600P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
на замовлення 9278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.93 грн
10+70.12 грн
50+52.53 грн
100+43.96 грн
500+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 infineon_ipd60r600p7_datasheet_en.pdf
IPD60R600P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.98 грн
10+59.71 грн
100+43.88 грн
500+36.20 грн
1000+33.49 грн
2500+29.84 грн
5000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 2362699.pdf
IPD60R600P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 2362699.pdf
IPD60R600P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.