Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R600P7ATMA1
IPD60R600P7ATMA1

IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R600P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5be5a5523cc4 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD60R600P7ATMA1 за ціною від 24.07 грн до 111.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2362699.pdf Description: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.69 грн
500+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
142+86.22 грн
153+80.02 грн
207+58.97 грн
219+53.73 грн
500+44.21 грн
2500+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R600P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5be5a5523cc4 Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.45 грн
10+57.68 грн
100+43.05 грн
500+31.68 грн
1000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2362699.pdf Description: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.80 грн
13+69.12 грн
100+51.69 грн
500+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R600P7-DataSheet-v02_09-EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.96 грн
10+69.11 грн
100+41.43 грн
500+32.52 грн
1000+29.63 грн
2500+25.59 грн
5000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5be5a5523cc4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5be5a5523cc4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.