Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R600P7SAUMA1
IPD60R600P7SAUMA1

IPD60R600P7SAUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd60r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.00 грн
5000+17.82 грн
7500+17.63 грн
12500+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R600P7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400.

Інші пропозиції IPD60R600P7SAUMA1 за ціною від 14.61 грн до 73.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.35 грн
5000+16.65 грн
7500+16.25 грн
12500+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.11 грн
5000+18.92 грн
7500+18.73 грн
12500+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7s-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.70 грн
5000+19.32 грн
10000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.81 грн
5000+22.18 грн
10000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003403679-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.75 грн
500+27.29 грн
1000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252-3
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+59.97 грн
10+42.16 грн
25+36.43 грн
37+25.38 грн
102+23.94 грн
500+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+61.99 грн
235+52.71 грн
290+42.80 грн
306+39.09 грн
500+30.58 грн
1000+26.88 грн
2500+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 22032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.57 грн
10+44.95 грн
100+30.63 грн
500+21.49 грн
1000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.96 грн
10+52.54 грн
25+43.72 грн
37+30.45 грн
102+28.73 грн
500+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R600P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.79 грн
10+49.80 грн
100+30.09 грн
500+23.60 грн
1000+21.38 грн
2500+16.65 грн
5000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003403679-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.76 грн
50+51.32 грн
100+36.75 грн
500+27.29 грн
1000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.