| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.92 грн |
| 10+ | 57.39 грн |
| 100+ | 33.06 грн |
| 500+ | 25.94 грн |
| 1000+ | 23.47 грн |
| 2500+ | 19.10 грн |
| 5000+ | 18.61 грн |
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Технічний опис IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPD60R600PFD7SAUMA1 за ціною від 25.30 грн до 123.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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IPD60R600PFD7SAUMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IPD60R600PFD7SAUMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 123.34 грн |
| 11+ | 77.38 грн |
| 100+ | 51.23 грн |
| 500+ | 37.03 грн |
| 1000+ | 31.08 грн |
| 5000+ | 25.30 грн |