Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R600PFD7SAUMA1
IPD60R600PFD7SAUMA1

IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 31W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm.

Інші пропозиції IPD60R600PFD7SAUMA1 за ціною від 27.97 грн до 103.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r600pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+42.46 грн
1000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
819+43.21 грн
1000+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 819 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
819+43.21 грн
1000+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 819 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r600pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+64.00 грн
252+56.23 грн
311+45.62 грн
325+42.05 грн
500+35.99 грн
2500+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.35 грн
100+53.11 грн
500+41.41 грн
1000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+80.35 грн
267+53.11 грн
500+41.41 грн
1000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9 Description: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.84 грн
10+63.05 грн
100+41.84 грн
500+30.72 грн
1000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R600PFD7S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 INFINEON 3049665.pdf Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 INFINEON 3049665.pdf Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 infineon-ipd60r600pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
833+42.46 грн
1000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
819+43.21 грн
1000+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 819 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
819+43.21 грн
1000+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 819 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 infineon-ipd60r600pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
221+64.00 грн
252+56.23 грн
311+45.62 грн
325+42.05 грн
500+35.99 грн
2500+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+80.35 грн
100+53.11 грн
500+41.41 грн
1000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
177+80.35 грн
267+53.11 грн
500+41.41 грн
1000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9
IPD60R600PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+103.84 грн
10+63.05 грн
100+41.84 грн
500+30.72 грн
1000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon_IPD60R600PFD7S_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 3049665.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 3049665.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.