IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 35.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD60R600PFD7SAUMA1 за ціною від 20.26 грн до 107.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD60R600PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R600PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R600PFD7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R600PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R600PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 2258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R600PFD7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPD60R600PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
BTH2-23-12-1-B |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IPD60R600PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD60R600PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPD60R600PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: CONSUMER PG-TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD60R600PFD7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: CONSUMER PG-TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPD60R600PFD7SAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD Version: ESD Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.219Ω Power dissipation: 31W Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 14A Drain-source voltage: 600V Technology: CoolMOS™ PFD7 |
товару немає в наявності |