Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R650CEAUMA1
IPD60R650CEAUMA1

IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies

676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 82W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD60R650CEAUMA1 за ціною від 20.55 грн до 84.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.74 грн
5000+24.72 грн
10000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.39 грн
5000+26.37 грн
10000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
427+28.44 грн
434+27.99 грн
441+27.55 грн
449+26.13 грн
500+23.80 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 427
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002364744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+30.19 грн
31+27.89 грн
100+26.36 грн
500+22.50 грн
1000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+30.47 грн
25+29.99 грн
100+28.46 грн
250+25.93 грн
500+24.48 грн
1000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002364744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.05 грн
500+30.00 грн
1000+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 82W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20.5nC
Pulsed drain current: 19A
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+44.22 грн
22+42.64 грн
25+39.16 грн
100+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 82W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20.5nC
Pulsed drain current: 19A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.26 грн
6+55.10 грн
22+51.16 грн
25+46.99 грн
100+46.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.71 грн
10+44.85 грн
100+33.61 грн
500+28.27 грн
1000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R650CE_DS_v02_03_EN-3362579.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.89 грн
10+53.96 грн
100+34.56 грн
500+29.94 грн
1000+27.21 грн
2500+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 (60S650CE)
Код товару: 201269
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Description: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.