Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPD60R650CEAUMA1 (60S650CE)

IPD60R650CEAUMA1 (60S650CE)

Код товару: 201269
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD60R650CEAUMA1 (60S650CE) за ціною від 9.85 грн до 91.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
980+14.47 грн
991+14.31 грн
1002+13.65 грн
1012+12.51 грн
1234+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+24.32 грн
48+15.85 грн
53+13.81 грн
100+12.77 грн
250+12.13 грн
500+12.01 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.88 грн
5000+28.86 грн
10000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.74 грн
5000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.04 грн
5000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
925+38.33 грн
1003+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
925+38.33 грн
1003+35.35 грн
10000+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
925+38.33 грн
1003+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 82W
Gate charge: 20.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 6.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+46.53 грн
25+41.22 грн
100+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.64 грн
10+55.64 грн
100+36.71 грн
500+26.81 грн
1000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002364744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002364744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
980+14.47 грн
991+14.31 грн
1002+13.65 грн
1012+12.51 грн
1234+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+24.32 грн
48+15.85 грн
53+13.81 грн
100+12.77 грн
250+12.13 грн
500+12.01 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.88 грн
5000+28.86 грн
10000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.74 грн
5000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.04 грн
5000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
925+38.33 грн
1003+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
925+38.33 грн
1003+35.35 грн
10000+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
925+38.33 грн
1003+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 82W
Gate charge: 20.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 6.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+46.53 грн
25+41.22 грн
100+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.64 грн
10+55.64 грн
100+36.71 грн
500+26.81 грн
1000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 INFN-S-A0002364744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 INFN-S-A0002364744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.