Інші пропозиції IPD60R650CEAUMA1 (60S650CE) за ціною від 9.76 грн до 37.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Description: CONSUMERPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
на замовлення 1511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 2578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IPD60R650CEAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 82W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm |
на замовлення 3480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IPD60R650CEAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 82W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm |
на замовлення 3480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD60R650CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 980+ | 14.34 грн |
| 991+ | 14.18 грн |
| 1002+ | 13.53 грн |
| 1012+ | 12.40 грн |
| 1234+ | 9.76 грн |
| IPD60R650CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 24.11 грн |
| 48+ | 15.71 грн |
| 53+ | 13.68 грн |
| 100+ | 12.66 грн |
| 250+ | 12.03 грн |
| 500+ | 11.91 грн |
| 1000+ | 9.76 грн |
| IPD60R650CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.17 грн |
| 13+ | 23.05 грн |
| 100+ | 22.81 грн |
| 1000+ | 21.27 грн |
| IPD60R650CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 28.62 грн |
| 5000+ | 28.60 грн |
| 10000+ | 28.58 грн |
| IPD60R650CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 32.45 грн |
| 5000+ | 28.65 грн |
| IPD60R650CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 32.74 грн |
| 5000+ | 28.90 грн |
| IPD60R650CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 925+ | 37.99 грн |
| 1003+ | 35.04 грн |
| 10000+ | 31.24 грн |
| IPD60R650CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 925+ | 37.99 грн |
| 1003+ | 35.04 грн |
| IPD60R650CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 925+ | 37.99 грн |
| 1003+ | 35.04 грн |
| IPD60R650CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPD60R650CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD60R650CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






