Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R650CEAUMA1
IPD60R650CEAUMA1

IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies

676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
980+12.90 грн
991+12.76 грн
1002+12.17 грн
1012+11.16 грн
1234+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 980
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 82W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD60R650CEAUMA1 за ціною від 9.41 грн до 83.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+23.24 грн
48+15.14 грн
53+13.19 грн
100+12.21 грн
250+11.59 грн
500+11.48 грн
1000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.76 грн
5000+25.74 грн
10000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002364744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.41 грн
500+23.46 грн
1000+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.37 грн
13+25.87 грн
100+25.60 грн
1000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.46 грн
5000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+30.37 грн
33+27.68 грн
100+27.41 грн
500+23.46 грн
1000+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.29 грн
5000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R650CE_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+32.05 грн
13+28.56 грн
100+24.76 грн
2500+24.20 грн
5000+20.84 грн
10000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
925+34.18 грн
1003+31.53 грн
10000+28.11 грн
Мінімальне замовлення: 925
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
925+34.18 грн
1003+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 925
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 IPD60R650CEAUMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.85 грн
22+53.90 грн
61+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 (60S650CE)
Код товару: 201269
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Description: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.