Інші пропозиції IPD60R650CEAUMA1 (60S650CE) за ціною від 16.48 грн до 74.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R650CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: CONSUMERPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
на замовлення 1511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R650CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R650CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R650CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R650CEAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 82W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R650CEAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.2A Power dissipation: 82W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 19A Gate charge: 20.5nC |
на замовлення 2167 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R650CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 2578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R650CEAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 82W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R650CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD60R650CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: CONSUMER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |