IPD60R800CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.2nC
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R800CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: CONSUMER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-344, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPD60R800CEAUMA1 за ціною від 16.50 грн до 94.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 6862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPD60R800CEAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 6862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 94.23 грн |
| 10+ | 57.16 грн |
| 100+ | 32.65 грн |
| 500+ | 25.68 грн |
| 1000+ | 22.57 грн |
| 2500+ | 16.98 грн |
| 5000+ | 16.50 грн |