Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R800CEAUMA1
IPD60R800CEAUMA1

IPD60R800CEAUMA1 Infineon Technologies

26596555163141dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R800CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: CONSUMER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-344, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD60R800CEAUMA1 за ціною від 16.49 грн до 86.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R800CEAUMA1 IPD60R800CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipa60r800cedsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD60R800CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipa60r800cedsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD60R800CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 26596555163141dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD60R800CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipa60r800cedsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1096+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 1096
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD60R800CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipa60r800cedsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1096+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 1096
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD60R800CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 26596555163141dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD60R800CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R800CE-DS-v02_03-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 7055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.90 грн
10+54.02 грн
100+30.93 грн
500+23.94 грн
1000+21.74 грн
2500+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD%2CIPA60R800CE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 17.2nC
On-state resistance: 0.8Ω
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: 20V
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD60R800CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipa60r800cedsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD60R800CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipa60r800cedsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD60R800CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD%2CIPA60R800CE.pdf Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD60R800CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD%2CIPA60R800CE.pdf Description: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.