Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R950C6ATMA1

IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies

Name: IPD60R950C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 5332870-3
Price: 69700.00 UAH
Availability: InStock

Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	27.88 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD60R950C6ATMA1 за ціною від 24.51 грн до 70.67 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	30.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	31.63 грн
5000+	30.55 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	33.60 грн
5000+	32.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	33.66 грн
5000+	32.73 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	33.95 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
360+	34.48 грн
365+	33.93 грн
371+	33.39 грн
377+	31.68 грн
500+	28.85 грн
1000+	27.24 грн

Мінімальне замовлення: 360

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
19+	37.51 грн
20+	36.94 грн
25+	36.35 грн
100+	34.50 грн
250+	31.43 грн
500+	29.68 грн
1000+	29.18 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

на замовлення 4009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	38.00 грн
11+	30.71 грн
100+	30.19 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon-IPD60R950C6-DataSheet-v02_05-EN.pdf

MOSFETs N-Ch 650V 4.4A DPAK-2

на замовлення 2159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	39.11 грн
11+	34.78 грн
100+	29.71 грн
500+	29.25 грн
1000+	28.41 грн
2500+	25.58 грн
5000+	24.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 31500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
685+	45.22 грн
1000+	41.70 грн
10000+	37.18 грн

Мінімальне замовлення: 685

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
685+	45.22 грн
1000+	41.70 грн

Мінімальне замовлення: 685

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	62.43 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
14+	63.48 грн
29+	30.33 грн
100+	30.24 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
281+	70.67 грн

Мінімальне замовлення: 281

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	38.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1
Код товару: 133580

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.