IPD60R950C6ATMA1

код товара: 133580
Производитель:
Транзисторы - Полевые N-канальные

htmlspecialchars($datasheet_name)
В наличии/под заказ

Техническое описание IPD60R950C6ATMA1

Цена IPD60R950C6ATMA1 от 16.28 грн до 54.82 грн

IPD60R950C6ATMA1
IPD60R950C6ATMA1
Производитель: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252; Vgs (Max) : ±20V; Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 3.5V @ 130µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950mOhm @ 1.5A, 10V; Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 4.4A (Tc); Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V; Technology : MOSFET (Metal Oxide); FET Type : N-Channel; Part Status : Not For New Designs; Packaging : Tape & Reel (TR); Package / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63; Supplier Device Package : PG-TO252-3; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power Dissipation (Max) : 37W (Tc); Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 280pF @ 100V
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 2500 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
2500+ 22.77 грн

IPD60R950C6ATMA1
Производитель: INFINEON
Single N-Channel 600 V 950 mOhm 13 nC CoolMOS™ Power Mosfet - DPAK-3 CUT TAPE Локація: USA || Якість 100%
количество в упаковке: 2500 шт
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 100 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
18+ 23.44 грн
50+ 19.87 грн
100+ 18.76 грн
250+ 17.5 грн
500+ 16.28 грн
IPD60R950C6ATMA1
IPD60R950C6ATMA1
Производитель: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 650V 4.4A DPAK-2
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 20000 шт
срок поставки 7-15 дня (дней)
9+ 41.29 грн
11+ 35.1 грн
100+ 24.87 грн
500+ 21.99 грн
IPD60R950C6ATMA1
IPD60R950C6ATMA1
Производитель: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power Dissipation (Max) : 37W (Tc); Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 280pF @ 100V; Vgs (Max) : ±20V; Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 3.5V @ 130µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950mOhm @ 1.5A, 10V; Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 4.4A (Tc); Package / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63; Supplier Device Package : PG-TO252-3; Mounting Type : Surface Mount; Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V; Technology : MOSFET (Metal Oxide); FET Type : N-Channel; Part Status : Not For New Designs; Packaging : Cut Tape (CT)
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 2500 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
8+ 54.82 грн
10+ 47.05 грн
100+ 35.75 грн
500+ 26.49 грн
1000+ 21.38 грн

С этим товаром покупают

FAN6248HAMX
код товара: 133579
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 2403 шт - цена и срок поставки
STN1NK60Z
код товара: 25979
htmlspecialchars($datasheet_name)
STN1NK60Z
Производитель: ST
Транзисторы - Полевые N-канальные
Корпус: SOT-223
Uds,V: 600 V
Idd,A: 0,25 A
Rds(on), Ohm: 15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 94/4,9
Монтаж: SMD
под заказ 644541 шт - цена и срок поставки