Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R950C6ATMA1
IPD60R950C6ATMA1

IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD60R950C6ATMA1 за ціною від 25.27 грн до 109.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6 Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.61 грн
5000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.63 грн
5000+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.70 грн
5000+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
360+35.54 грн
365+34.98 грн
371+34.43 грн
377+32.66 грн
500+29.74 грн
1000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 360
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+38.67 грн
20+38.08 грн
25+37.48 грн
100+35.57 грн
250+32.40 грн
500+30.59 грн
1000+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R950C6-DataSheet-v02_05-EN.pdf MOSFETs N-Ch 650V 4.4A DPAK-2
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+40.32 грн
11+35.85 грн
100+30.62 грн
500+30.15 грн
1000+29.29 грн
2500+26.37 грн
5000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
685+46.62 грн
1000+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 685
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
685+46.62 грн
1000+42.99 грн
10000+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 685
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+64.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6 Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+65.44 грн
29+31.26 грн
100+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
281+72.86 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6 Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.86 грн
10+66.67 грн
100+44.42 грн
500+32.70 грн
1000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1
Код товару: 133580
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.