Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPD60R950C6ATMA1

IPD60R950C6ATMA1

Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6
Код товару: 133580
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD60R950C6ATMA1 за ціною від 11.68 грн до 114.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
975+14.55 грн
991+14.32 грн
1007+14.09 грн
1024+13.36 грн
1041+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 975 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+15.02 грн
52+14.55 грн
100+13.81 грн
250+12.58 грн
500+11.87 грн
1000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6 Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.22 грн
5000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.55 грн
5000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.78 грн
5000+37.77 грн
7500+37.39 грн
12500+34.69 грн
17500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.93 грн
5000+37.91 грн
7500+37.30 грн
12500+34.82 грн
17500+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
685+51.79 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
685+51.79 грн
1000+47.76 грн
10000+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+80.94 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6 Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.17 грн
10+69.40 грн
50+51.90 грн
100+43.42 грн
500+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 INFINEON INFN-S-A0010753436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R950C6_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs N-Ch 650V 4.4A DPAK-2
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 INFINEON INFN-S-A0010753436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 infineonipp60r950c6datasheeten.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
975+14.55 грн
991+14.32 грн
1007+14.09 грн
1024+13.36 грн
1041+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 975 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 infineonipp60r950c6datasheeten.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
51+15.02 грн
52+14.55 грн
100+13.81 грн
250+12.58 грн
500+11.87 грн
1000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6
IPD60R950C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 infineonipb60r950c6datasheeten.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.22 грн
5000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.55 грн
5000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 infineonipp60r950c6datasheeten.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.78 грн
5000+37.77 грн
7500+37.39 грн
12500+34.69 грн
17500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 infineonipp60r950c6datasheeten.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.93 грн
5000+37.91 грн
7500+37.30 грн
12500+34.82 грн
17500+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 infineonipp60r950c6datasheeten.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
685+51.79 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 infineonipp60r950c6datasheeten.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
685+51.79 грн
1000+47.76 грн
10000+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+71.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
281+80.94 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6
IPD60R950C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.17 грн
10+69.40 грн
50+51.90 грн
100+43.42 грн
500+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 INFN-S-A0010753436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R950C6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 Infineon_IPD60R950C6_DataSheet_v02_05_EN.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 4.4A DPAK-2
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 INFN-S-A0010753436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R950C6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.