Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R950C6ATMA1
IPD60R950C6ATMA1

IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
478+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 478
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD60R950C6ATMA1 за ціною від 20.30 грн до 108.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+27.39 грн
24+26.11 грн
25+25.85 грн
100+24.14 грн
250+22.13 грн
500+20.32 грн
1000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.79 грн
5000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.10 грн
5000+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
741+41.07 грн
1000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 741
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
741+41.07 грн
1000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 741
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0010753436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.36 грн
500+39.91 грн
1000+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
281+69.50 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6 Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.15 грн
14+59.44 грн
100+46.35 грн
500+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6 Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.15 грн
10+31.65 грн
100+29.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R950C6_DataSheet_v02_05_EN-3362849.pdf MOSFETs N-Ch 650V 4.4A DPAK-2
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.74 грн
10+59.75 грн
100+38.02 грн
500+32.29 грн
1000+30.24 грн
2500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1
Код товару: 133580
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6 Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.