Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R950C6ATMA1

IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies

Name: IPD60R950C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 5332870-3
Price: 69125.00 UAH
Availability: InStock

Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	27.65 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD60R950C6ATMA1 за ціною від 24.45 грн до 69.67 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	30.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	31.18 грн
5000+	30.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	33.12 грн
5000+	31.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	33.18 грн
5000+	32.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	33.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
360+	33.98 грн
365+	33.45 грн
371+	32.92 грн
377+	31.23 грн
500+	28.44 грн
1000+	26.85 грн

Мінімальне замовлення: 360

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
19+	36.98 грн
20+	36.41 грн
25+	35.84 грн
100+	34.01 грн
250+	30.98 грн
500+	29.25 грн
1000+	28.77 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

на замовлення 4029 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	37.90 грн
11+	30.47 грн
100+	29.93 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon-IPD60R950C6-DataSheet-v02_05-EN.pdf

MOSFETs N-Ch 650V 4.4A DPAK-2

на замовлення 2159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	39.01 грн
11+	34.69 грн
100+	29.63 грн
500+	29.17 грн
1000+	28.33 грн
2500+	25.52 грн
5000+	24.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 31500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
685+	44.57 грн
1000+	41.11 грн
10000+	36.65 грн

Мінімальне замовлення: 685

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
685+	44.57 грн
1000+	41.11 грн

Мінімальне замовлення: 685

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	61.54 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
14+	63.31 грн
29+	30.25 грн
100+	30.16 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
281+	69.67 грн

Мінімальне замовлення: 281

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	38.70 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1
Код товару: 133580

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD60R950C6ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.