Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD65R190C7ATMA1
IPD65R190C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+202.45 грн
68+189.35 грн
71+182.21 грн
100+157.98 грн
250+140.96 грн
500+125.19 грн
1000+111.41 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD65R190C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD65R190C7ATMA1 за ціною від 69.99 грн до 235.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0010754031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD65R190C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+214.60 грн
10+135.12 грн
100+107.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+216.91 грн
10+202.88 грн
25+195.22 грн
100+169.27 грн
250+151.03 грн
500+134.13 грн
1000+119.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD65R190C7_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.51 грн
10+129.46 грн
100+89.75 грн
500+82.66 грн
1000+78.57 грн
2500+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD65R190C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209837c650210 Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 3585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.04 грн
10+146.71 грн
100+101.72 грн
500+80.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3633ds_ipd65r190c7_2_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD65R190C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209837c650210 Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.