IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 90.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD65R190C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPD65R190C7ATMA1 за ціною від 85.34 грн до 189.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD65R190C7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
на замовлення 2373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD65R190C7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD65R190C7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD65R190C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD65R190C7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V |
на замовлення 6021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD65R190C7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD65R190C7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IPD65R190C7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPD65R190C7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPD65R190C7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.2A Power dissipation: 28W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPD65R190C7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.2A Power dissipation: 28W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |