Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD65R190C7ATMA1
IPD65R190C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies

fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+81.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD65R190C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 72W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.

Інші пропозиції IPD65R190C7ATMA1 за ціною від 86.85 грн до 352.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+127.95 грн
113+125.97 грн
114+124.00 грн
116+117.66 грн
250+107.18 грн
500+101.20 грн
1000+99.51 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+181.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+181.10 грн
500+163.46 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+181.10 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+181.10 грн
500+163.46 грн
1000+150.53 грн
10000+129.28 грн
100000+100.25 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 652600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+181.10 грн
500+163.46 грн
1000+150.53 грн
10000+129.28 грн
100000+100.25 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.50 грн
10+162.96 грн
50+125.63 грн
100+106.62 грн
500+86.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+297.19 грн
70+204.13 грн
82+172.76 грн
101+135.89 грн
500+101.56 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.61 грн
10+205.79 грн
50+174.16 грн
100+137.00 грн
500+102.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+352.09 грн
10+229.66 грн
50+177.06 грн
100+154.41 грн
500+116.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0010754031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD65R190C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD65R190C7_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+110.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
111+127.95 грн
113+125.97 грн
114+124.00 грн
116+117.66 грн
250+107.18 грн
500+101.20 грн
1000+99.51 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+181.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
195+181.10 грн
500+163.46 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
195+181.10 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
195+181.10 грн
500+163.46 грн
1000+150.53 грн
10000+129.28 грн
100000+100.25 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 652600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
195+181.10 грн
500+163.46 грн
1000+150.53 грн
10000+129.28 грн
100000+100.25 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPD65R190C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+259.50 грн
10+162.96 грн
50+125.63 грн
100+106.62 грн
500+86.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+297.19 грн
70+204.13 грн
82+172.76 грн
101+135.89 грн
500+101.56 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+299.61 грн
10+205.79 грн
50+174.16 грн
100+137.00 грн
500+102.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+352.09 грн
10+229.66 грн
50+177.06 грн
100+154.41 грн
500+116.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 INFN-S-A0010754031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD65R190C7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R190C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 Infineon_IPD65R190C7_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.