Продукція > INFINEON > IPD65R1K0CEAUMA1
IPD65R1K0CEAUMA1

IPD65R1K0CEAUMA1 INFINEON

Infineon-IPD65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015385336909754c Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.86ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.50 грн
17+51.04 грн
100+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD65R1K0CEAUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD65R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.86ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPD65R1K0CEAUMA1 за ціною від 20.77 грн до 103.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD65R1K0CEAUMA1 IPD65R1K0CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD65R1K0CE_DS_v02_00_EN-1731840.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.60 грн
10+69.21 грн
100+53.72 грн
500+48.95 грн
1000+41.83 грн
2500+21.94 грн
5000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K0CEAUMA1 IPD65R1K0CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015385336909754c Description: MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.