IPD65R1K4C6ATMA1

IPD65R1K4C6ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD65R1K4C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d014034f54e9c4c0d Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.61 грн
5000+26.44 грн
7500+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD65R1K4C6ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD65R1K4C6ATMA1 за ціною від 29.91 грн до 109.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD65R1K4C6ATMA1 IPD65R1K4C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD65R1K4C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d014034f54e9c4c0d Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 12485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.82 грн
10+67.05 грн
100+44.59 грн
500+32.82 грн
1000+29.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4C6ATMA1 IPD65R1K4C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd65r1k4c6-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4C6ATMA1 IPD65R1K4C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd65r1k4c6-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4C6ATMA1 IPD65R1K4C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd65r1k4c6-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4C6ATMA1 IPD65R1K4C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD65R1K4C6_DataSheet_v02_01_EN-3362615.pdf MOSFETs N-Ch 700V 3.2A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.