IPD65R225C7ATMA1

IPD65R225C7ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e793234000141 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+62.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD65R225C7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD65R225C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD65R225C7ATMA1 за ціною від 60.74 грн до 204.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipd65r225c7_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+91.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e793234000141 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 5379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.93 грн
10+126.14 грн
100+86.89 грн
500+65.80 грн
1000+60.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e793234000141 Description: INFINEON - IPD65R225C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+204.67 грн
10+146.90 грн
100+105.64 грн
500+79.70 грн
1000+68.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e793234000141 IPD65R225C7ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e793234000141 MOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.