Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD65R225C7ATMA1
IPD65R225C7ATMA1

IPD65R225C7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e793234000141
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+69.43 грн
5000+62.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD65R225C7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD65R225C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD65R225C7ATMA1 за ціною від 72.31 грн до 258.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e793234000141 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.30 грн
10+141.20 грн
100+97.80 грн
500+74.38 грн
1000+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r225c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.15 грн
10+219.84 грн
25+214.24 грн
100+188.20 грн
250+167.91 грн
500+151.41 грн
1000+141.62 грн
3000+140.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r225c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+258.29 грн
60+235.67 грн
62+228.89 грн
100+198.58 грн
250+176.37 грн
500+157.87 грн
1000+146.61 грн
3000+145.13 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 INFINEON Infineon-IPD65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e793234000141 Description: INFINEON - IPD65R225C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 Infineon-IPD65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e793234000141
IPD65R225C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+226.30 грн
10+141.20 грн
100+97.80 грн
500+74.38 грн
1000+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 infineon-ipd65r225c7-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD65R225C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+238.15 грн
10+219.84 грн
25+214.24 грн
100+188.20 грн
250+167.91 грн
500+151.41 грн
1000+141.62 грн
3000+140.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 infineon-ipd65r225c7-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD65R225C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+258.29 грн
60+235.67 грн
62+228.89 грн
100+198.58 грн
250+176.37 грн
500+157.87 грн
1000+146.61 грн
3000+145.13 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 Infineon-IPD65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e793234000141
IPD65R225C7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R225C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.