IPD65R380E6 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 314+ | 75.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD65R380E6 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPD65R380E6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD65R380E6 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 700V 10.6A DPAK-2 CoolMOS E6 |
на замовлення 2369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |