Продукція > INFINEON > IPD65R380E6ATMA1
IPD65R380E6ATMA1

IPD65R380E6ATMA1 INFINEON


INFNS27844-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R380E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 83W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+127.92 грн
500+98.09 грн
1000+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD65R380E6ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD65R380E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS E6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPD65R380E6ATMA1 за ціною від 49.51 грн до 199.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD65R380E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f09622c742fd5 Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.32 грн
10+103.00 грн
100+71.35 грн
500+52.50 грн
1000+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD65R380E6_DataSheet_v02_02_EN-3362480.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.38 грн
10+116.75 грн
100+74.30 грн
250+67.90 грн
500+59.44 грн
1000+54.66 грн
2500+49.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27844-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD65R380E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+199.72 грн
10+159.28 грн
100+127.92 грн
500+98.09 грн
1000+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd65r380e6-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd65r380e6-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd65r380e6-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R380E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD65R380E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f09622c742fd5 Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R380E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.