IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 23.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 118W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPD65R400CEAUMA1 за ціною від 27.72 грн до 104.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD65R400CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD65R400CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD65R400CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD65R400CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD65R400CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 347500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD65R400CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD65R400CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD65R400CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD65R400CEAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 118W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD65R400CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 118W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V |
на замовлення 50954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD65R400CEAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 118W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD65R400CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 2635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPD65R400CEAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252 Mounting: SMD Case: PG-TO252 Drain current: 9.5A Drain-source voltage: 700V Power dissipation: 118W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IPD65R400CEAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252 Mounting: SMD Case: PG-TO252 Drain current: 9.5A Drain-source voltage: 700V Power dissipation: 118W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |