Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD65R400CEAUMA1
IPD65R400CEAUMA1

IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies

124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 118W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm.

Інші пропозиції IPD65R400CEAUMA1 за ціною від 25.89 грн до 123.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r400ce-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.92 грн
7500+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+33.78 грн
440+33.26 грн
447+32.72 грн
454+31.04 грн
500+28.28 грн
1000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.31 грн
24+33.78 грн
25+33.26 грн
100+31.55 грн
250+28.74 грн
500+27.14 грн
1000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.89 грн
10000+45.58 грн
15000+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r400ce-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 15181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.94 грн
10+74.34 грн
50+55.54 грн
100+46.44 грн
500+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies infineon_ipd65r400ce_datasheet_en.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 7352 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+123.50 грн
10+57.59 грн
100+44.52 грн
500+34.98 грн
2500+28.45 грн
5000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 INFINEON 2354545.pdf Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 118W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 INFINEON 2354545.pdf Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf
IPD65R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 infineon-ipd65r400ce-datasheet-en.pdf
IPD65R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.92 грн
7500+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf
IPD65R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
433+33.78 грн
440+33.26 грн
447+32.72 грн
454+31.04 грн
500+28.28 грн
1000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf
IPD65R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+34.31 грн
24+33.78 грн
25+33.26 грн
100+31.55 грн
250+28.74 грн
500+27.14 грн
1000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf
IPD65R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+49.89 грн
10000+45.58 грн
15000+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 infineon-ipd65r400ce-datasheet-en.pdf
IPD65R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 15181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.94 грн
10+74.34 грн
50+55.54 грн
100+46.44 грн
500+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 infineon_ipd65r400ce_datasheet_en.pdf
IPD65R400CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 7352 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.50 грн
10+57.59 грн
100+44.52 грн
500+34.98 грн
2500+28.45 грн
5000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 2354545.pdf
IPD65R400CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 118W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 2354545.pdf
IPD65R400CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.