Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD65R400CEAUMA1
IPD65R400CEAUMA1

IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies

124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 118W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD65R400CEAUMA1 за ціною від 27.44 грн до 83.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.44 грн
5000+ 28.83 грн
12500+ 27.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+38.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+39.95 грн
10000+ 32.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+43.02 грн
10000+ 35.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 347500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+50.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+55.97 грн
25+ 54.72 грн
100+ 47.73 грн
250+ 41.73 грн
500+ 37.68 грн
1000+ 33.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
199+60.28 грн
204+ 58.93 грн
225+ 53.3 грн
250+ 48.54 грн
500+ 42.27 грн
1000+ 35.82 грн
Мінімальне замовлення: 199
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : INFINEON 2354545.pdf Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 118W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+63.8 грн
500+ 52.27 грн
1000+ 38.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 81786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.07 грн
10+ 59.88 грн
100+ 46.57 грн
500+ 37.05 грн
1000+ 30.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD65R400CE_DS_v02_00_EN-1227051.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.24 грн
10+ 65.56 грн
100+ 44.38 грн
500+ 37.62 грн
1000+ 30.59 грн
2500+ 28.81 грн
5000+ 27.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : INFINEON 2354545.pdf Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+83.48 грн
12+ 65.4 грн
100+ 47.87 грн
500+ 37.98 грн
1000+ 31.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPD65R400CEAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 118W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IPD65R400CEAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 118W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній