Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD65R400CEAUMA1
IPD65R400CEAUMA1

IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies

124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 118W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD65R400CEAUMA1 за ціною від 29.47 грн до 116.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.73 грн
10000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.87 грн
10000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 347500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+57.07 грн
25+55.79 грн
100+48.67 грн
250+42.55 грн
500+38.42 грн
1000+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+61.46 грн
204+60.09 грн
225+54.35 грн
250+49.49 грн
500+43.10 грн
1000+36.52 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : INFINEON 2354545.pdf Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 118W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.75 грн
500+56.33 грн
1000+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : INFINEON 2354545.pdf Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.96 грн
12+70.48 грн
100+51.58 грн
500+40.92 грн
1000+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD65R400CE_DS_v02_00_EN-1227051.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.57 грн
10+69.21 грн
100+42.74 грн
500+35.09 грн
1000+32.66 грн
2500+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 81304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.19 грн
10+70.81 грн
100+47.41 грн
500+35.06 грн
1000+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 IPD65R400CEAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.